![1N5061TAP 1N5061TAP](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3C/3E/00/00/0/58307_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=ee3030c8f626d86251541030d1e0d6678694ce14)
1N5061TAP VISHAY
![1n5059.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us
Capacitance: 40pF
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4µs
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Mounting: THT
Case: SOD57
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 29.96 грн |
16+ | 23.36 грн |
25+ | 20.94 грн |
54+ | 16.03 грн |
147+ | 15.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5061TAP VISHAY
Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N5061TAP за ціною від 17.57 грн до 35.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5061TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Mounting: THT Case: SOD57 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1N5061TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
1N5061TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
1N5061TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
1N5061TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |