| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE6510179A-EVPW24 | CEL |
 Description: EVAL BOARD NE6510179A 2.4GHZ |
товар відсутній |
||||||||
| NE6510179A-EVPW26 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE6510179A 2.6GHZ |
товар відсутній |
||||||||
| NE6510179A-EVPW35 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE6510179A 3.5GHZ |
товар відсутній |
||||||||
 |
NE6510179A-T1-A | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 2.8A Frequency: 1.9GHz Power - Output: 32.5dBm Gain: 10dB Technology: GaAs HJ-FET Supplier Device Package: 79A Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 3.5 V Current - Test: 200 mA |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE651R479A-A | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 1A Frequency: 1.9GHz Power - Output: 27dBm Gain: 12dB Technology: GaAs HJ-FET Supplier Device Package: 79A Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 3.5 V Current - Test: 50 mA |
товар відсутній |
|||||||
| NE651R479A-EVPW19 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE651R479A 1.9GHZ |
товар відсутній |
||||||||
| NE651R479A-EVPW24 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE651R479A 2.4GHZ |
товар відсутній |
||||||||
| NE651R479A-EVPW35 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE651R479A 3.5GHZ |
товар відсутній |
||||||||
|
|
NE651R479A-T1-A | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 1A Frequency: 1.9GHz Power - Output: 27dBm Gain: 12dB Technology: GaAs HJ-FET Supplier Device Package: 79A Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 3.5 V Current - Test: 50 mA |
товар відсутній |
|||||||
 |
NE66219-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 |
товар відсутній |
|||||||
 |
NE66219-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 14dB Power - Max: 115mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Obsolete |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NE662M04-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
товар відсутній |
|||||||
 |
NE662M04-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F Packaging: Bulk Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 115mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343F Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|||||||
 |
NE662M04-EVGA09 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ |
товар відсутній |
|||||||
| NE662M04-EVGA09 | CEL |
Mobile Development Tools For NE662M04-A Gain at 900 MHz |
товар відсутній |
||||||||
| NE662M04-EVGA09-A | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ |
товар відсутній |
||||||||
| NE662M04-EVGA19 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.9GHZ |
товар відсутній |
||||||||
| NE662M04-EVGA19 | CEL |
RF Development Tools For NE662M04-A Gain at 1.9 GHz |
товар відсутній |
||||||||
| NE662M04-EVIP09 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ |
товар відсутній |
||||||||
| NE662M04-EVNF09 | CEL |
Mobile Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 900 MHz |
товар відсутній |
||||||||
 |
NE662M04-EVNF09 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ |
товар відсутній |
|||||||
| NE662M04-EVNF09-A | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ |
товар відсутній |
||||||||
| NE662M04-EVNF16 | CEL |
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.6 GHz |
товар відсутній |
||||||||
|
|
NE662M04-EVNF16 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.6GHZ |
товар відсутній |
|||||||
| NE662M04-EVNF19 | CEL |
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.9 GHz |
товар відсутній |
||||||||
| NE662M04-EVNF19 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.9GHZ |
товар відсутній |
||||||||
|
|
NE662M04-EVNF24 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE662M04 2.4GHZ |
товар відсутній |
|||||||
| NE662M04-EVNF24 | CEL |
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 2.4 GHz |
товар відсутній |
||||||||
|
|
NE662M04-T2-A | CEL |
Description: SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 17dB Power - Max: 115mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz Supplier Device Package: M04 Part Status: Last Time Buy |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NE662M04-T2-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE663M04-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
товар відсутній |
|||||||
| NE663M04-EVPW08 | CEL |
RF Development Tools For NE663M04-A Power at 800 MHz |
товар відсутній |
||||||||
| NE663M04-EVPW08 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE663M04 800MHZ |
товар відсутній |
||||||||
| NE663M04-EVPW19 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE663M04 1.9GHZ |
товар відсутній |
||||||||
| NE663M04-EVPW19 | CEL |
RF Development Tools For NE663M04-A Power at 1.9 GHz |
товар відсутній |
||||||||
|
|
NE663M04-T2-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE663M04-T2-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE664M04-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| NE664M04-EV04-A | CEL |
Description: EVAL BOARD NE664M04 |
товар відсутній |
||||||||
| NE664M04-EVPW09 | CEL |
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 900 MHz |
товар відсутній |
||||||||
| NE664M04-EVPW09-A | CEL |
Description: EVAL BOARD NE664M04 900MHZ |
товар відсутній |
||||||||
|
|
NE664M04-EVPW24 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE664M04 2.4GHZ |
товар відсутній |
|||||||
| NE664M04-EVPW24 | CEL |
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 2.4 GHz |
товар відсутній |
||||||||
|
|
NE664M04-T2-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
|
|
NE664M04-T2-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE664M04-T2-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
 |
NE67718-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE67718-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343 |
товар відсутній |
|||||||
 |
NE67739-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE67739-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE677M04-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE677M04-T2-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE67818-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE67818-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE67839-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE67839-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE678M04-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F |
товар відсутній |
|||||||
|
|
NE678M04-EV09 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE678M04 900MHZ |
товар відсутній |
|||||||
| NE678M04-EV09 | CEL |
RF Development Tools For NE678M04-A at 900 MHz |
товар відсутній |
||||||||
| NE678M04-EV24 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE678M04 |
товар відсутній |
| NE6510179A-T1-A |
|
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 2.8A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 32.5dBm
Gain: 10dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 200 mA
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 2.8A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 32.5dBm
Gain: 10dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 200 mA
товар відсутній
| NE651R479A-A |
|
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 12dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 50 mA
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 12dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 50 mA
товар відсутній
| NE651R479A-T1-A |
|
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 12dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 50 mA
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 12dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 50 mA
товар відсутній
| NE66219-T1-A |
Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 185.14 грн |
| NE662M04-A |
|
Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Part Status: Obsolete
товар відсутній
| NE662M04-EVGA09 |
|
Виробник: CEL
Mobile Development Tools For NE662M04-A Gain at 900 MHz
Mobile Development Tools For NE662M04-A Gain at 900 MHz
товар відсутній
| NE662M04-EVNF09 |
|
Виробник: CEL
Mobile Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 900 MHz
Mobile Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 900 MHz
товар відсутній
| NE662M04-EVNF16 |
|
Виробник: CEL
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.6 GHz
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.6 GHz
товар відсутній
| NE662M04-EVNF19 |
|
Виробник: CEL
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.9 GHz
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.9 GHz
товар відсутній
| NE662M04-EVNF24 |
|
Виробник: CEL
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 2.4 GHz
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 2.4 GHz
товар відсутній
| NE662M04-T2-A |
|
Виробник: CEL
Description: SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
Part Status: Last Time Buy
Description: SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 154.29 грн |
| 15000+ | 104 грн |
| 60000+ | 59.43 грн |
| NE664M04-A |
|
Виробник: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| NE664M04-EVPW09 |
|
Виробник: CEL
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 900 MHz
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 900 MHz
товар відсутній
| NE664M04-EVPW24 |
|
Виробник: CEL
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 2.4 GHz
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 2.4 GHz
товар відсутній
| NE664M04-T2-A |
|
Виробник: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| NE664M04-T2-A |
|
Виробник: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)