Технічний опис NE6510179A-T1-A Renesas
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 2.8A, Frequency: 1.9GHz, Power - Output: 32.5dBm, Gain: 10dB, Technology: GaAs HJ-FET, Supplier Device Package: 79A, Voltage - Rated: 8 V, Voltage - Test: 3.5 V, Current - Test: 200 mA.
Інші пропозиції NE6510179A-T1-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE6510179A-T1-A | Виробник : CEL |
 Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 2.8A Frequency: 1.9GHz Power - Output: 32.5dBm Gain: 10dB Technology: GaAs HJ-FET Supplier Device Package: 79A Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 3.5 V Current - Test: 200 mA |
товар відсутній |