Продукція > IPN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPN06N03LAGINFINEON
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN102iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2011.94 грн
IPN103iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2874.19 грн
IPN104iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN10EL-SInfineon TechnologiesGate Drivers MOSFET
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
на замовлення 237500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 473
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SSOP
товар відсутній
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
товар відсутній
IPN2120AINPROVOMMTQFP128
на замовлення 17290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN2220INPROCOMMO4
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.9 грн
500+ 13.22 грн
1500+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 17309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.24 грн
10+ 33.14 грн
100+ 23.06 грн
500+ 16.9 грн
1000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN50R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.58 грн
50+ 24.74 грн
100+ 19.9 грн
500+ 13.22 грн
1500+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 26
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.59 грн
6000+ 12.42 грн
9000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 7997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.04 грн
10+ 30.71 грн
100+ 19.13 грн
500+ 15.48 грн
1000+ 12.95 грн
3000+ 11.09 грн
9000+ 10.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.83 грн
500+ 15.91 грн
1000+ 10.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+31.27 грн
408+ 28.6 грн
409+ 28.5 грн
503+ 22.33 грн
1000+ 19.35 грн
Мінімальне замовлення: 373
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.33 грн
11+ 26.99 грн
100+ 18.72 грн
500+ 13.72 грн
1000+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN50R2K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.34 грн
11+ 29.64 грн
100+ 18 грн
500+ 14.15 грн
1000+ 11.49 грн
3000+ 9.57 грн
9000+ 9.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.97 грн
23+ 32.56 грн
100+ 21.83 грн
500+ 15.91 грн
1000+ 10.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R3K0CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN50R3K0CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R3K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.61 грн
50+ 23.25 грн
100+ 17.81 грн
500+ 10.52 грн
1500+ 9.52 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPN50R3K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN50R3K0CEATMA1
Код товару: 193023		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.74 грн
12+ 23.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R3K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.81 грн
500+ 10.52 грн
1500+ 9.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
6000+ 8.84 грн
9000+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31 грн
12+ 26.2 грн
100+ 15.88 грн
500+ 12.42 грн
1000+ 10.1 грн
3000+ 8.5 грн
9000+ 7.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN50R650CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.67 грн
16+ 48.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 961-970 дні (днів)
6+52.31 грн
10+ 45.76 грн
100+ 31.62 грн
500+ 26.64 грн
1000+ 22.12 грн
3000+ 20.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R650CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN50R800CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.72 грн
500+ 17.16 грн
1000+ 13.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.61 грн
6000+ 14.24 грн
9000+ 13.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R800CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.77 грн
25+ 29.88 грн
100+ 20.72 грн
500+ 17.16 грн
1000+ 13.6 грн
Мінімальне замовлення: 21
IPN50R800CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+57.23 грн
6+ 44.15 грн
25+ 38.36 грн
26+ 37.03 грн
72+ 35.04 грн
500+ 33.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 15140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.68 грн
10+ 34.25 грн
100+ 23.73 грн
500+ 18.61 грн
1000+ 15.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN50R800CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.69 грн
10+ 35.43 грн
25+ 31.97 грн
26+ 30.86 грн
72+ 29.2 грн
500+ 28.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.53 грн
14+ 43.42 грн
25+ 41.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.33 грн
10+ 47.82 грн
100+ 31.88 грн
500+ 25.24 грн
1000+ 20.19 грн
3000+ 18.27 грн
6000+ 18.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN50R950CEInfineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN50R950CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+30.4 грн
25+ 26.3 грн
50+ 19.43 грн
136+ 18.35 грн
3000+ 17.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R950CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R950CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.34 грн
25+ 21.1 грн
50+ 16.19 грн
136+ 15.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.24 грн
10+ 32.73 грн
100+ 22.76 грн
500+ 16.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 8921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.77 грн
10+ 30.71 грн
100+ 19.4 грн
500+ 15.28 грн
1000+ 13.29 грн
3000+ 11.89 грн
9000+ 11.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R950CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.16 грн
50+ 27.35 грн
100+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN5320INPROCOMM04+
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN5330INPROCOMMO4
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.5 грн
6000+ 15.05 грн
9000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.44 грн
6000+ 18.28 грн
15000+ 17.67 грн
30000+ 16.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.53 грн
13+ 25.28 грн
100+ 18 грн
500+ 16.41 грн
1000+ 14.55 грн
3000+ 13.88 грн
9000+ 13.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.13 грн
17+ 35.99 грн
25+ 35.63 грн
100+ 29.04 грн
250+ 26.76 грн
500+ 21.49 грн
1000+ 17.95 грн
3000+ 16.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.35 грн
500+ 21.31 грн
1000+ 14.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 277
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.83 грн
10+ 36.19 грн
100+ 25.08 грн
500+ 19.67 грн
1000+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.86 грн
6000+ 18.67 грн
15000+ 18.06 грн
30000+ 17.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.13 грн
18+ 43.67 грн
100+ 27.35 грн
500+ 21.31 грн
1000+ 14.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R1K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.02 грн
500+ 26.29 грн
1000+ 17.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 13112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.62 грн
10+ 40.79 грн
100+ 27.1 грн
500+ 22.65 грн
1000+ 19.26 грн
3000+ 16.67 грн
6000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesRECP ASSY
товар відсутній
IPN60R1K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.2 грн
17+ 45.75 грн
100+ 35.02 грн
500+ 26.29 грн
1000+ 17.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN60R1K5CEInfineon technologies
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 5851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.11 грн
10+ 35.29 грн
100+ 24.54 грн
500+ 17.98 грн
1000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+21.27 грн
610+ 19.12 грн
616+ 18.93 грн
678+ 16.56 грн
1000+ 13.72 грн
3000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 548
IPN60R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.03 грн
30+ 25.11 грн
100+ 18.48 грн
500+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.16 грн
6000+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 8867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.17 грн
11+ 28.04 грн
100+ 19 грн
500+ 15.94 грн
1000+ 13.55 грн
3000+ 11.69 грн
24000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN60R1K5CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.11 грн
6000+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 622
IPN60R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.48 грн
500+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.93 грн
29+ 20.27 грн
30+ 19.75 грн
100+ 17.12 грн
250+ 15.69 грн
500+ 13.67 грн
1000+ 12.23 грн
3000+ 10.97 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPN60R1K5CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+51.33 грн
340+ 34.25 грн
365+ 31.92 грн
366+ 30.69 грн
500+ 23.91 грн
1000+ 21.71 грн
2000+ 21.62 грн
3000+ 20.62 грн
Мінімальне замовлення: 227
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.83 грн
10+ 36.6 грн
100+ 25.35 грн
500+ 19.88 грн
1000+ 16.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN60R1K5PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.68 грн
500+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.11 грн
10+ 38.27 грн
100+ 24.18 грн
500+ 20.13 грн
1000+ 17.2 грн
3000+ 15.01 грн
6000+ 14.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN60R1K5PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.61 грн
22+ 35.02 грн
100+ 21.68 грн
500+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPN60R2K0PFD7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 352-361 дні (днів)
8+43.94 грн
10+ 37.74 грн
100+ 22.72 грн
500+ 19 грн
1000+ 16.21 грн
3000+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R2K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.36 грн
19+ 40.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+80.36 грн
298+ 39.19 грн
325+ 35.92 грн
326+ 34.45 грн
500+ 25.98 грн
1000+ 23.32 грн
3000+ 21.89 грн
Мінімальне замовлення: 145
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 15430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.24 грн
10+ 33.9 грн
100+ 23.48 грн
500+ 18.41 грн
1000+ 15.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R2K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.44 грн
6000+ 14.09 грн
9000+ 13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K1CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN60R2K1CEInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 8209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.65 грн
10+ 30.72 грн
100+ 21.33 грн
500+ 15.63 грн
1000+ 12.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.07 грн
10+ 33.69 грн
100+ 20.72 грн
500+ 16.27 грн
1000+ 12.89 грн
3000+ 10.96 грн
9000+ 10.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R2K1CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.74 грн
21+ 36.51 грн
100+ 24.52 грн
500+ 17.92 грн
1000+ 11.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.57 грн
6000+ 11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R2K1CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.52 грн
500+ 17.92 грн
1000+ 11.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R2K1CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.81 грн
6000+ 68.14 грн
12000+ 67.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1
Код товару: 133578		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.35 грн
6000+ 66.7 грн
12000+ 66.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 6919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.56 грн
10+ 53.24 грн
100+ 36 грн
500+ 30.49 грн
1000+ 24.84 грн
3000+ 23.38 грн
6000+ 22.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+105.65 грн
10+ 91.16 грн
25+ 88.54 грн
100+ 69.78 грн
250+ 63.37 грн
500+ 48.97 грн
1000+ 39.66 грн
3000+ 35.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN60R360PFD7SATMA1InfineonTransistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+532.22 грн
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
товар відсутній
IPN60R360PFD7SATMA1InfineonTransistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.11 грн
10+ 61.42 грн
100+ 42.18 грн
500+ 35.74 грн
1000+ 27.7 грн
3000+ 26.97 грн
6000+ 26.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN60R360PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.04 грн
500+ 48.3 грн
1000+ 35.26 грн
3000+ 30.02 грн
6000+ 29.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 13404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.14 грн
10+ 56.12 грн
100+ 43.64 грн
500+ 34.71 грн
1000+ 28.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device
товар відсутній
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+98.18 грн
123+ 95.35 грн
150+ 77.93 грн
250+ 73.71 грн
500+ 54.93 грн
1000+ 42.71 грн
3000+ 38.71 грн
Мінімальне замовлення: 119
IPN60R360PFD7SATMA1InfineonTransistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+266.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPN60R360PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.58 грн
10+ 84.95 грн
100+ 63.04 грн
500+ 48.3 грн
1000+ 35.26 грн
3000+ 30.02 грн
6000+ 29.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.45 грн
6000+ 27.01 грн
9000+ 25.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R3K4CEInfineon technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN60R3K4CEInfineon
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 20307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.34 грн
11+ 29.56 грн
100+ 17.87 грн
500+ 13.95 грн
1000+ 11.36 грн
3000+ 9.57 грн
9000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN60R3K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.79 грн
50+ 27.2 грн
100+ 21.54 грн
500+ 12.18 грн
1500+ 10.99 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
6000+ 10.08 грн
9000+ 9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R3K4CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 3.9A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 279
IPN60R3K4CEATMA1
Код товару: 143229		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.54 грн
500+ 12.18 грн
1500+ 10.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 22634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.05 грн
11+ 26.99 грн
100+ 18.72 грн
500+ 13.71 грн
1000+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN60R3K4CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 3.9A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R600P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.13 грн
10+ 49.73 грн
100+ 29.49 грн
500+ 24.64 грн
1000+ 20.92 грн
3000+ 18.67 грн
6000+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN60R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.24 грн
12+ 63.79 грн
100+ 45.23 грн
500+ 33.77 грн
1000+ 24.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPN60R600P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+57.3 грн
239+ 48.79 грн
279+ 41.77 грн
295+ 38.17 грн
500+ 33.13 грн
1000+ 29.86 грн
3000+ 27.4 грн
6000+ 26.21 грн
Мінімальне замовлення: 204
IPN60R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.23 грн
500+ 33.77 грн
1000+ 24.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R600PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.75 грн
12+ 62.67 грн
100+ 48.88 грн
500+ 37.57 грн
1000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.36 грн
10+ 50.1 грн
100+ 34.67 грн
500+ 27.19 грн
1000+ 23.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device
товар відсутній
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
товар відсутній
IPN60R600PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.88 грн
500+ 37.57 грн
1000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.8 грн
6000+ 20.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.96 грн
10+ 49.88 грн
100+ 31.35 грн
500+ 26.57 грн
1000+ 23.05 грн
3000+ 20.46 грн
6000+ 19.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN65R1K5CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN65R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.45 грн
500+ 19.17 грн
1000+ 13.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.28 грн
10+ 42.24 грн
100+ 25.11 грн
500+ 20.92 грн
1000+ 17.8 грн
3000+ 16.14 грн
6000+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN65R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.97 грн
18+ 41.95 грн
100+ 26.45 грн
500+ 19.17 грн
1000+ 13.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN70R1K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.21 грн
10+ 32.85 грн
100+ 20.26 грн
500+ 17.2 грн
1000+ 13.75 грн
3000+ 13.62 грн
6000+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K2P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.4 грн
21+ 36.96 грн
100+ 25.56 грн
500+ 19.37 грн
1000+ 15.27 грн
3000+ 13.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+56.47 грн
248+ 46.96 грн
295+ 39.58 грн
321+ 34.99 грн
500+ 30.41 грн
1000+ 22.87 грн
2000+ 21.79 грн
3000+ 20.54 грн
Мінімальне замовлення: 207
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
10+ 32.94 грн
100+ 22.8 грн
500+ 17.88 грн
1000+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.2 грн
27+ 21.7 грн
100+ 17.77 грн
250+ 16.13 грн
500+ 14.32 грн
1000+ 11.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPN70R1K2P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.56 грн
500+ 19.37 грн
1000+ 15.27 грн
3000+ 13.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+23.37 грн
587+ 19.85 грн
599+ 19.46 грн
648+ 17.35 грн
1000+ 12.88 грн
Мінімальне замовлення: 499
IPN70R1K4P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.27 грн
22+ 34.13 грн
100+ 23.62 грн
500+ 18.41 грн
1000+ 14.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.23 грн
6000+ 13.01 грн
9000+ 12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.41 грн
10+ 38.12 грн
100+ 23.12 грн
500+ 18.07 грн
1000+ 14.61 грн
3000+ 12.36 грн
9000+ 11.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN70R1K4P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.62 грн
500+ 18.41 грн
1000+ 14.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 10788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.39 грн
10+ 34.74 грн
100+ 24.16 грн
500+ 17.7 грн
1000+ 14.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R1K5CEInfineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN70R1K5CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.8 грн
100+ 24.71 грн
500+ 21.26 грн
1000+ 18.07 грн
3000+ 16.21 грн
6000+ 15.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN70R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.63 грн
17+ 46.5 грн
100+ 29.28 грн
500+ 22.7 грн
1000+ 15.58 грн
5000+ 15.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN70R1K5CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+26.11 грн
465+ 25.06 грн
500+ 24.15 грн
1000+ 22.54 грн
Мінімальне замовлення: 446
IPN70R1K5CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.28 грн
500+ 22.7 грн
1000+ 15.58 грн
5000+ 15.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R2K0P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN70R2K0P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.99 грн
500+ 17.37 грн
1000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.02 грн
6000+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.4 грн
17+ 34.54 грн
25+ 34.15 грн
100+ 23.64 грн
250+ 21.65 грн
500+ 15.7 грн
1000+ 13.47 грн
3000+ 10.4 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.77 грн
10+ 35.29 грн
100+ 21.32 грн
500+ 16.67 грн
1000+ 13.62 грн
3000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN70R2K0P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.98 грн
20+ 38.15 грн
100+ 23.99 грн
500+ 17.37 грн
1000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+13.8 грн
Мінімальне замовлення: 844
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 8598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.8 грн
10+ 31.76 грн
100+ 22.09 грн
500+ 16.19 грн
1000+ 13.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN70R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.06 грн
500+ 32.31 грн
1000+ 24.21 грн
5000+ 21.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+65.57 грн
11+ 53.97 грн
25+ 53.43 грн
100+ 40.73 грн
250+ 37.34 грн
500+ 29.28 грн
1000+ 23.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+58.12 грн
203+ 57.54 грн
256+ 45.49 грн
259+ 43.42 грн
500+ 32.85 грн
1000+ 25.49 грн
Мінімальне замовлення: 201
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.52 грн
10+ 49.58 грн
100+ 34.28 грн
500+ 29.56 грн
1000+ 24.38 грн
3000+ 23.71 грн
6000+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.51 грн
10+ 49.34 грн
100+ 38.37 грн
500+ 30.52 грн
1000+ 24.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN70R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.62 грн
13+ 57.38 грн
100+ 41.06 грн
500+ 32.31 грн
1000+ 24.21 грн
5000+ 21.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.51 грн
10+ 58.29 грн
100+ 35.07 грн
500+ 29.36 грн
1000+ 24.98 грн
3000+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+75.31 грн
182+ 64.13 грн
212+ 54.92 грн
224+ 50.19 грн
500+ 43.47 грн
1000+ 39.18 грн
Мінімальне замовлення: 155
IPN70R450P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.73 грн
12+ 67.29 грн
100+ 48.66 грн
500+ 37.36 грн
1000+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN70R450P7SATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.74 грн
16+ 36.97 грн
25+ 36.92 грн
100+ 30.2 грн
250+ 26.86 грн
500+ 24.3 грн
1000+ 22.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.67 грн
10+ 53.69 грн
100+ 37.18 грн
500+ 29.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+39.75 грн
346+ 33.73 грн
360+ 31.24 грн
500+ 27.26 грн
1000+ 23.75 грн
Мінімальне замовлення: 293
IPN70R450P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.66 грн
500+ 37.36 грн
1000+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 6640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.25 грн
500+ 27.33 грн
1000+ 18.59 грн
5000+ 18.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.66 грн
10+ 47.44 грн
100+ 30.16 грн
500+ 25.18 грн
1000+ 21.46 грн
3000+ 18.4 грн
6000+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.61 грн
10+ 45.11 грн
100+ 31.24 грн
500+ 24.5 грн
1000+ 20.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.65 грн
50+ 44.41 грн
100+ 35.17 грн
500+ 23.25 грн
1500+ 21.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPN70R750P7SInfineon TechnologiesDescription: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+93.52 грн
256+ 45.62 грн
279+ 41.77 грн
281+ 40.08 грн
500+ 30.21 грн
1000+ 27.14 грн
3000+ 25.45 грн
Мінімальне замовлення: 125
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.98 грн
6000+ 16.4 грн
9000+ 15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.61 грн
22+ 26.74 грн
25+ 26.22 грн
100+ 21.99 грн
250+ 20.24 грн
500+ 17.82 грн
1000+ 14.63 грн
Мінімальне замовлення: 21
IPN70R750P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.88 грн
17+ 44.41 грн
100+ 29.06 грн
500+ 22.76 грн
1000+ 16.1 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.9 грн
10+ 33.54 грн
100+ 22.25 грн
500+ 19.46 грн
1000+ 16.47 грн
3000+ 15.81 грн
6000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 14189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.42 грн
10+ 39.51 грн
100+ 27.34 грн
500+ 21.44 грн
1000+ 18.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+28.24 грн
475+ 24.56 грн
477+ 24.41 грн
521+ 21.59 грн
1000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 413
IPN70R750P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.06 грн
500+ 22.76 грн
1000+ 16.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R750P7SATMA1
Код товару: 193676		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN70R900P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.29 грн
19+ 41.36 грн
100+ 31.74 грн
500+ 23.8 грн
1000+ 17.56 грн
3000+ 15.78 грн
Мінімальне замовлення: 16
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.41 грн
10+ 39.19 грн
100+ 23.58 грн
500+ 19.73 грн
1000+ 16.74 грн
3000+ 14.95 грн
6000+ 14.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN70R900P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.39 грн
10+ 35.29 грн
100+ 24.42 грн
500+ 19.15 грн
1000+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN70R900P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.74 грн
500+ 23.8 грн
1000+ 17.56 грн
3000+ 15.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R1K2P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товар відсутній
IPN80R1K2P7
Код товару: 144481		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.8 грн
500+ 36.81 грн
1000+ 30.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.42 грн
10+ 55.49 грн
100+ 43.18 грн
500+ 34.34 грн
1000+ 27.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.71 грн
12+ 63.93 грн
100+ 46.8 грн
500+ 36.81 грн
1000+ 30.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.71 грн
10+ 60.65 грн
100+ 41.72 грн
500+ 35.34 грн
1000+ 28.76 грн
3000+ 27.1 грн
6000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+94.11 грн
137+ 85.5 грн
163+ 71.75 грн
200+ 65.47 грн
500+ 54.43 грн
1000+ 43.94 грн
3000+ 39.27 грн
Мінімальне замовлення: 124
IPN80R1K4P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
товар відсутній
IPN80R1K4P7Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+54.61 грн
216+ 54.06 грн
268+ 43.52 грн
278+ 40.46 грн
500+ 31.88 грн
1000+ 27.02 грн
3000+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 214
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1
Код товару: 148097		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+83.13 грн
165+ 70.75 грн
192+ 60.66 грн
203+ 55.44 грн
500+ 47.98 грн
1000+ 43.26 грн
3000+ 39.7 грн
Мінімальне замовлення: 141
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57 грн
500+ 43.8 грн
1000+ 33.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.72 грн
12+ 50.71 грн
25+ 50.2 грн
100+ 38.97 грн
250+ 34.79 грн
500+ 28.42 грн
1000+ 25.09 грн
3000+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.65 грн
10+ 76.75 грн
100+ 57 грн
500+ 43.8 грн
1000+ 33.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.8 грн
10+ 48.57 грн
100+ 37.75 грн
500+ 30.03 грн
1000+ 24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 15905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.17 грн
10+ 53.17 грн
100+ 35.6 грн
500+ 30.22 грн
1000+ 25.37 грн
3000+ 24.18 грн
6000+ 23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.73 грн
500+ 37.85 грн
1000+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.03 грн
10+ 53.01 грн
100+ 34.87 грн
500+ 29.09 грн
1000+ 24.78 грн
3000+ 22.45 грн
6000+ 20.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesP7 Power Transistor
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.22 грн
12+ 67.44 грн
100+ 48.73 грн
500+ 37.85 грн
1000+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+67 грн
205+ 57 грн
239+ 48.89 грн
252+ 44.66 грн
500+ 38.7 грн
1000+ 34.86 грн
Мінімальне замовлення: 174
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.98 грн
15+ 51.79 грн
100+ 34.72 грн
500+ 26.92 грн
1000+ 18.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.13 грн
10+ 52.17 грн
100+ 30.95 грн
500+ 25.84 грн
1000+ 21.99 грн
3000+ 19.86 грн
6000+ 18.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 11665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.33 грн
10+ 45.81 грн
100+ 31.72 грн
500+ 24.87 грн
1000+ 21.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.72 грн
500+ 26.92 грн
1000+ 18.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.86 грн
6000+ 19.03 грн
9000+ 17.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 7908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.58 грн
10+ 41.72 грн
100+ 28.87 грн
500+ 22.64 грн
1000+ 19.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
6+52.62 грн
10+ 46.37 грн
100+ 27.5 грн
500+ 22.98 грн
1000+ 19.53 грн
3000+ 17.74 грн
6000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.99 грн
6000+ 17.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+109.09 грн
6+ 48.11 грн
20+ 41.43 грн
29+ 33.91 грн
78+ 32.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.41 грн
6000+ 17.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.41 грн
14+ 56.41 грн
100+ 39.57 грн
500+ 29.82 грн
1000+ 22.04 грн
3000+ 19.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 547-556 дні (днів)
7+48.98 грн
10+ 41.94 грн
100+ 25.24 грн
500+ 21.06 грн
1000+ 18 грн
3000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+41.96 грн
304+ 38.4 грн
305+ 38.19 грн
500+ 29.96 грн
1000+ 25.98 грн
3000+ 23.41 грн
Мінімальне замовлення: 278
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.91 грн
9+ 38.61 грн
20+ 34.53 грн
29+ 28.26 грн
78+ 26.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 5293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
10+ 37.36 грн
100+ 25.83 грн
500+ 20.26 грн
1000+ 17.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.57 грн
500+ 29.82 грн
1000+ 22.04 грн
3000+ 19.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.52 грн
6000+ 17.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.91 грн
500+ 69.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R600P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+77.2 грн
10+ 70.18 грн
25+ 69.47 грн
100+ 59.18 грн
250+ 54.25 грн
500+ 47.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.07 грн
10+ 114.75 грн
100+ 90.91 грн
500+ 69.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R600P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.38 грн
10+ 88.01 грн
100+ 68.46 грн
500+ 54.45 грн
1000+ 44.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.57 грн
10+ 96.25 грн
100+ 64.9 грн
500+ 55.27 грн
1000+ 45.04 грн
3000+ 42.38 грн
6000+ 40.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+83.13 грн
155+ 75.57 грн
156+ 74.81 грн
177+ 63.73 грн
250+ 58.42 грн
500+ 51.43 грн
Мінімальне замовлення: 141
IPN80R750P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.75 грн
10+ 81.74 грн
100+ 55.6 грн
500+ 47.16 грн
1000+ 38.39 грн
3000+ 36.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+83.73 грн
141+ 82.89 грн
175+ 66.77 грн
250+ 63.74 грн
500+ 51.28 грн
Мінімальне замовлення: 140
IPN80R750P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.19 грн
10+ 77.75 грн
25+ 76.97 грн
100+ 59.79 грн
250+ 54.81 грн
500+ 45.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesP7 Power Transistor
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.91 грн
10+ 64.21 грн
100+ 49.92 грн
500+ 39.71 грн
1000+ 32.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.75 грн
500+ 58.95 грн
1000+ 42.92 грн
5000+ 42.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+84.9 грн
151+ 77.29 грн
185+ 62.94 грн
200+ 56.78 грн
1000+ 46.56 грн
2000+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 138
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.19 грн
10+ 102.83 грн
100+ 76.75 грн
500+ 58.95 грн
1000+ 42.92 грн
5000+ 42.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 18880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.35 грн
10+ 70.2 грн
100+ 48.23 грн
500+ 40.92 грн
1000+ 33.28 грн
3000+ 31.09 грн
6000+ 30.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN80R900P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.47 грн
10+ 102.36 грн
100+ 69.08 грн
500+ 55.93 грн
1000+ 44.11 грн
3000+ 39.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPN95R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
товар відсутній
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 7665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.79 грн
10+ 66.63 грн
100+ 51.78 грн
500+ 41.19 грн
1000+ 33.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.95 грн
6000+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN95R2K0P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
товар відсутній
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.21 грн
6000+ 24.96 грн
9000+ 23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.89 грн
500+ 42.83 грн
1000+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 23606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.39 грн
10+ 51.83 грн
100+ 40.32 грн
500+ 32.07 грн
1000+ 26.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.99 грн
11+ 71.76 грн
100+ 55.89 грн
500+ 42.83 грн
1000+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.27 грн
11+ 52.7 грн
25+ 52.17 грн
50+ 49.81 грн
100+ 34.88 грн
250+ 32.28 грн
500+ 28.31 грн
1000+ 23.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.47 грн
10+ 74.94 грн
100+ 50.55 грн
500+ 41.78 грн
1000+ 33.01 грн
3000+ 29.16 грн
9000+ 28.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN95R3K7P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.99 грн
12+ 65.65 грн
100+ 47.39 грн
500+ 36.33 грн
1000+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
товар відсутній
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.95 грн
13+ 44.38 грн
25+ 43.57 грн
100+ 26.62 грн
250+ 24.4 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.51 грн
10+ 55 грн
100+ 37.2 грн
500+ 31.55 грн
1000+ 25.71 грн
3000+ 24.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN95R3K7P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
товар відсутній
IPN95R3K7P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.39 грн
500+ 36.33 грн
1000+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.08 грн
10+ 51.34 грн
100+ 35.53 грн
500+ 27.86 грн
1000+ 23.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000