IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.14 грн |
| 6000+ | 15.64 грн |
| 9000+ | 14.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPN60R1K0CEATMA1 за ціною від 14.63 грн до 55.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
на замовлення 14950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IPN60R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |