IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 140+ | 86.06 грн |
| 141+ | 85.2 грн |
| 175+ | 68.63 грн |
| 250+ | 65.52 грн |
| 500+ | 52.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IPN80R750P7ATMA1 за ціною від 37.54 грн до 104.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPN80R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPN80R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPN80R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPN80R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPN80R750P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 17nC Technology: CoolMOS™ P7 Case: PG-SOT223 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPN80R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPN80R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPN80R750P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 17nC Technology: CoolMOS™ P7 Case: PG-SOT223 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |