Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10976) > Сторінка 76 з 183
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
SI7159DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
||||
SI7160DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7186DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7196DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
||||
SI7214DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7218DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7218DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7224DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7228DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7230DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7236DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO |
товару немає в наявності |
||||
SI7302DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7302DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7328DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
SI7342DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7356ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7356ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7358ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
||||
SI7358ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
||||
SI7368DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7368DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7370ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
||||
SI7374DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7380ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7380ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7382DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7384DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7388DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7388DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7390DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7390DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7392ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7392ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7392DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7392DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7402DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7402DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7404DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7404DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7405BDN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7407DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
||||
SI7407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
||||
SI7409ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
||||
SI7413DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7421DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
SI7423DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7425DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7425DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
Si7440DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7440DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
Si7445DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7445DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7446BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
||||
SI7446BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
||||
SI7447ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7447ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7448DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7452DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
||||
SI7452DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
SI7159DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
SI7160DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7186DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7196DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
товару немає в наявності
SI7214DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
товару немає в наявності
SI7218DN-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
товару немає в наявності
SI7218DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
товару немає в наявності
SI7224DN-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7228DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7230DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7236DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
товару немає в наявності
SI7302DN-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
SI7302DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
SI7328DN-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7336ADP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 49.69 грн |
SI7342DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7356ADP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7356ADP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7358ADP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
SI7358ADP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
SI7368DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7368DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7370ADP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
товару немає в наявності
SI7374DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7380ADP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7380ADP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7382DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7384DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7388DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7388DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7390DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7390DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7392ADP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7392ADP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7392DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7392DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7402DN-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7402DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7404DN-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7404DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7405BDN-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7407DN-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
SI7407DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
SI7409ADN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
SI7413DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7421DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI7423DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7425DN-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7425DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
Si7440DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7440DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Si7445DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7445DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7446BDP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
товару немає в наявності
SI7446BDP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
товару немає в наявності
SI7447ADP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7447ADP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
SI7448DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7452DP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
SI7452DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності