Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (37311) > Сторінка 516 з 622

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 62 124 186 248 310 372 434 496 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 558 620 622  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
P6SMB9.1CAHM3_A/H P6SMB9.1CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товар відсутній
P6SMB9.1CAHE3_A/H P6SMB9.1CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товар відсутній
P6SMB9.1CAHM3/H P6SMB9.1CAHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товар відсутній
P6SMB91CAHM3/I P6SMB91CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товар відсутній
P6SMB9.1CAHM3_A/I P6SMB9.1CAHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товар відсутній
BZX384C3V9-HG3-08 BZX384C3V9-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384g.pdf Description: ZENER DIODE SOD3235%, 3.9V, 0.2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
6000+ 4.13 грн
9000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BZX384C3V9-HG3-08 BZX384C3V9-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384g.pdf Description: ZENER DIODE SOD3235%, 3.9V, 0.2W
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.14 грн
16+ 18.15 грн
100+ 8.86 грн
500+ 6.93 грн
1000+ 4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
TZM5248B-GS18 TZM5248B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm5221.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5248B-GS18 TZM5248B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm5221.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.09 грн
21+ 14.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
VS-ETU1506-M3 VS-ETU1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu1506m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.99 грн
50+ 73.36 грн
100+ 58.14 грн
1000+ 37.68 грн
5000+ 33.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETU1506-1HM3 VS-ETU1506-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu1506shm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETU2006S2LHM3 VS-ETU2006S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu2006s2lhm3.pdf Description: FREDS - D2PAK
товар відсутній
VS-E5TX1506FP-N3 VS-E5TX1506FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1506fp-n3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.53 грн
50+ 78.93 грн
100+ 62.54 грн
500+ 49.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-E5TW1206FP-N3 VS-E5TW1206FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tw1206fp-n3.pdf Description: DIODE GP 600V 12A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.54 грн
10+ 90.82 грн
100+ 70.79 грн
500+ 54.88 грн
1000+ 44.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-E5TH3006-M3 VS-E5TH3006-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3006-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.8 грн
50+ 83.01 грн
100+ 68.3 грн
500+ 54.24 грн
1000+ 46.02 грн
2000+ 43.72 грн
5000+ 41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-E5TW1506FP-N3 VS-E5TW1506FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tw1506fp-n3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.03 грн
50+ 80.35 грн
100+ 63.67 грн
500+ 50.64 грн
1000+ 41.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-E5TH3012-M3 VS-E5TH3012-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.62 грн
50+ 131.25 грн
100+ 107.99 грн
500+ 85.76 грн
1000+ 72.76 грн
2000+ 69.12 грн
5000+ 65.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
VS-E5TX1206FP-N3 VS-E5TX1206FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1206fp-n3.pdf Description: DIODE GP 600V 12A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.23 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.54 грн
10+ 90.82 грн
100+ 70.79 грн
500+ 54.88 грн
1000+ 44.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-E5TH3012S2LHM3 VS-E5TH3012S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012s2lhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
VS-E5TH3012S2LHM3 VS-E5TH3012S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012s2lhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.36 грн
10+ 187.08 грн
100+ 153.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
VS-E5TH3006THN3 VS-E5TH3006THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3006thn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.57 грн
10+ 139.31 грн
100+ 111.92 грн
500+ 86.3 грн
1000+ 76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
VS-E5TX3012S2LHM3 VS-E5TX3012S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3012s2lhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
VS-E5TX0812THN3 VS-E5TX0812THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx0812thn3.pdf Description: FREDS - TO-220G5,8A,1200V, LOW Q
товар відсутній
VS-E5TX1512S2LHM3 VS-E5TX1512S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1512s2lhm3.pdf Description: FREDS - D2PAK
товар відсутній
VS-E5TX3012THN3 VS-E5TX3012THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3012thn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
VS-E5TH0812THN3 VS-E5TH0812THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th0812hn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
VS-E5TH3012THN3 VS-E5TH3012THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012thn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
VS-E5TX1512THN3 VS-E5TX1512THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1512thn3.pdf Description: FREDS - TO-220G5,15A,1200V, LOW
товар відсутній
GMF05LC-HSF-GS08 GMF05LC-HSF-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gmf05lch.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 12.5VC LLP75-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 43pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Min)
Supplier Device Package: LLP75-6L
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.5V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GMF05LC-HSF-GS08 GMF05LC-HSF-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gmf05lch.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 12.5VC LLP75-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 43pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Min)
Supplier Device Package: LLP75-6L
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.5V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.49 грн
10+ 39.27 грн
100+ 29.31 грн
500+ 21.61 грн
1000+ 16.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
VS-GT50YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt55la120ux.pdf Description: ECONO - 4 PACK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 231 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6197.58 грн
VS-GT75YF120UT VS-GT75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt75yf120ut.pdf Description: ECONO - 4 PACK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9345.75 грн
12+ 8330.17 грн
VS-GT75YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt75yf120nt.pdf Description: ECONO - 4 PACK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8951.48 грн
12+ 7979.11 грн
TZM5261F-GS18 TZM5261F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5241F-GS18 TZM5241F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5243F-GS18 TZM5243F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5246F-GS18 TZM5246F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 16V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5229F-GS18 TZM5229F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5257F-GS08 TZM5257F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 33V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5262F-GS08 TZM5262F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 51V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5222F-GS08 TZM5222F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5232F-GS18 TZM5232F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5248F-GS08 TZM5248F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5251F-GS08 TZM5251F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 22V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5221F-GS08 TZM5221F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5267F-GS08 TZM5267F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 75V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5224F-GS08 TZM5224F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW SOD80
товар відсутній
SMBJ40AHE3_A/H SMBJ40AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+16.41 грн
1500+ 12.85 грн
2250+ 11.48 грн
5250+ 10.23 грн
Мінімальне замовлення: 750
SMBJ40AHE3_A/H SMBJ40AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.43 грн
10+ 29.11 грн
100+ 20.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
P4SMA9.1AHM3/H P4SMA9.1AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p4sma.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
P4SMA9.1AHE3_A/H P4SMA9.1AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p4sma.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
P4SMA9.1AHM3_A/H P4SMA9.1AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p4sma.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
P4SMA9.1AHM3_A/I P4SMA9.1AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p4sma.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
P4SMA9.1AHE3_A/I P4SMA9.1AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p4sma.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
P4SMA9.1AHM3/I P4SMA9.1AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p4sma.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
V15PM45HM3/H V15PM45HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15pm45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3000pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 45 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.95 грн
3000+ 23.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
V15PM45HM3/H V15PM45HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15pm45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3000pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 45 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.59 грн
10+ 54.66 грн
100+ 37.84 грн
500+ 29.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
V20PW45HM3/I V20PW45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20pw45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3000pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 45 V
товар відсутній
V20PW45HM3/I V20PW45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20pw45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3000pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 45 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.13 грн
10+ 57.2 грн
100+ 44.52 грн
500+ 35.41 грн
1000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
BZX55B12-TR BZX55B12-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx55.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9.1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
P6SMB9.1CAHM3_A/H p6smb.pdf
P6SMB9.1CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товар відсутній
P6SMB9.1CAHE3_A/H p6smb.pdf
P6SMB9.1CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товар відсутній
P6SMB9.1CAHM3/H p6smb.pdf
P6SMB9.1CAHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товар відсутній
P6SMB91CAHM3/I p6smb.pdf
P6SMB91CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товар відсутній
P6SMB9.1CAHM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB9.1CAHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товар відсутній
BZX384C3V9-HG3-08 bzx384g.pdf
BZX384C3V9-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: ZENER DIODE SOD3235%, 3.9V, 0.2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.62 грн
6000+ 4.13 грн
9000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BZX384C3V9-HG3-08 bzx384g.pdf
BZX384C3V9-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: ZENER DIODE SOD3235%, 3.9V, 0.2W
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.14 грн
16+ 18.15 грн
100+ 8.86 грн
500+ 6.93 грн
1000+ 4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
TZM5248B-GS18 tzm5221.pdf
TZM5248B-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5248B-GS18 tzm5221.pdf
TZM5248B-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.09 грн
21+ 14.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
VS-ETU1506-M3 vs-etu1506m3.pdf
VS-ETU1506-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.99 грн
50+ 73.36 грн
100+ 58.14 грн
1000+ 37.68 грн
5000+ 33.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETU1506-1HM3 vs-etu1506shm3.pdf
VS-ETU1506-1HM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETU2006S2LHM3 vs-etu2006s2lhm3.pdf
VS-ETU2006S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: FREDS - D2PAK
товар відсутній
VS-E5TX1506FP-N3 vs-e5tx1506fp-n3.pdf
VS-E5TX1506FP-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.53 грн
50+ 78.93 грн
100+ 62.54 грн
500+ 49.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-E5TW1206FP-N3 vs-e5tw1206fp-n3.pdf
VS-E5TW1206FP-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 12A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.54 грн
10+ 90.82 грн
100+ 70.79 грн
500+ 54.88 грн
1000+ 44.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-E5TH3006-M3 vs-e5th3006-m3.pdf
VS-E5TH3006-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.8 грн
50+ 83.01 грн
100+ 68.3 грн
500+ 54.24 грн
1000+ 46.02 грн
2000+ 43.72 грн
5000+ 41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-E5TW1506FP-N3 vs-e5tw1506fp-n3.pdf
VS-E5TW1506FP-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.03 грн
50+ 80.35 грн
100+ 63.67 грн
500+ 50.64 грн
1000+ 41.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-E5TH3012-M3 vs-e5th3012-m3.pdf
VS-E5TH3012-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.62 грн
50+ 131.25 грн
100+ 107.99 грн
500+ 85.76 грн
1000+ 72.76 грн
2000+ 69.12 грн
5000+ 65.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
VS-E5TX1206FP-N3 vs-e5tx1206fp-n3.pdf
VS-E5TX1206FP-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 12A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.23 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.54 грн
10+ 90.82 грн
100+ 70.79 грн
500+ 54.88 грн
1000+ 44.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-E5TH3012S2LHM3 vs-e5th3012s2lhm3.pdf
VS-E5TH3012S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+135.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
VS-E5TH3012S2LHM3 vs-e5th3012s2lhm3.pdf
VS-E5TH3012S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.36 грн
10+ 187.08 грн
100+ 153.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
VS-E5TH3006THN3 vs-e5th3006thn3.pdf
VS-E5TH3006THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.57 грн
10+ 139.31 грн
100+ 111.92 грн
500+ 86.3 грн
1000+ 76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
VS-E5TX3012S2LHM3 vs-e5tx3012s2lhm3.pdf
VS-E5TX3012S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+123.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
VS-E5TX0812THN3 vs-e5tx0812thn3.pdf
VS-E5TX0812THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: FREDS - TO-220G5,8A,1200V, LOW Q
товар відсутній
VS-E5TX1512S2LHM3 vs-e5tx1512s2lhm3.pdf
VS-E5TX1512S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: FREDS - D2PAK
товар відсутній
VS-E5TX3012THN3 vs-e5tx3012thn3.pdf
VS-E5TX3012THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
VS-E5TH0812THN3 vs-e5th0812hn3.pdf
VS-E5TH0812THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
VS-E5TH3012THN3 vs-e5th3012thn3.pdf
VS-E5TH3012THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
VS-E5TX1512THN3 vs-e5tx1512thn3.pdf
VS-E5TX1512THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: FREDS - TO-220G5,15A,1200V, LOW
товар відсутній
GMF05LC-HSF-GS08 gmf05lch.pdf
GMF05LC-HSF-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 12.5VC LLP75-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 43pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Min)
Supplier Device Package: LLP75-6L
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.5V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GMF05LC-HSF-GS08 gmf05lch.pdf
GMF05LC-HSF-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 12.5VC LLP75-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 43pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Min)
Supplier Device Package: LLP75-6L
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.5V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.49 грн
10+ 39.27 грн
100+ 29.31 грн
500+ 21.61 грн
1000+ 16.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
VS-GT50YF120NT vs-gt55la120ux.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: ECONO - 4 PACK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 231 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6197.58 грн
VS-GT75YF120UT vs-gt75yf120ut.pdf
VS-GT75YF120UT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: ECONO - 4 PACK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+9345.75 грн
12+ 8330.17 грн
VS-GT75YF120NT vs-gt75yf120nt.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: ECONO - 4 PACK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8951.48 грн
12+ 7979.11 грн
TZM5261F-GS18
TZM5261F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5241F-GS18
TZM5241F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5243F-GS18
TZM5243F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5246F-GS18
TZM5246F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5229F-GS18
TZM5229F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5257F-GS08
TZM5257F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5262F-GS08
TZM5262F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 51V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5222F-GS08
TZM5222F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5232F-GS18
TZM5232F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5248F-GS08
TZM5248F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5251F-GS08
TZM5251F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5221F-GS08
TZM5221F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5267F-GS08
TZM5267F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 75V 500MW SOD80
товар відсутній
TZM5224F-GS08
TZM5224F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW SOD80
товар відсутній
SMBJ40AHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ40AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+16.41 грн
1500+ 12.85 грн
2250+ 11.48 грн
5250+ 10.23 грн
Мінімальне замовлення: 750
SMBJ40AHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ40AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.43 грн
10+ 29.11 грн
100+ 20.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
P4SMA9.1AHM3/H p4sma.pdf
P4SMA9.1AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
P4SMA9.1AHE3_A/H p4sma.pdf
P4SMA9.1AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
P4SMA9.1AHM3_A/H p4sma.pdf
P4SMA9.1AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
P4SMA9.1AHM3_A/I p4sma.pdf
P4SMA9.1AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
P4SMA9.1AHE3_A/I p4sma.pdf
P4SMA9.1AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
P4SMA9.1AHM3/I p4sma.pdf
P4SMA9.1AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товар відсутній
V15PM45HM3/H v15pm45.pdf
V15PM45HM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3000pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 45 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+27.95 грн
3000+ 23.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
V15PM45HM3/H v15pm45.pdf
V15PM45HM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3000pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 45 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.59 грн
10+ 54.66 грн
100+ 37.84 грн
500+ 29.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
V20PW45HM3/I v20pw45.pdf
V20PW45HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3000pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 45 V
товар відсутній
V20PW45HM3/I v20pw45.pdf
V20PW45HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3000pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 45 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.13 грн
10+ 57.2 грн
100+ 44.52 грн
500+ 35.41 грн
1000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
BZX55B12-TR bzx55.pdf
BZX55B12-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9.1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 62 124 186 248 310 372 434 496 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 558 620 622  [ Наступна Сторінка >> ]