VS-GT75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: ECONO - 4 PACK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Description: ECONO - 4 PACK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9459.45 грн |
12+ | 8431.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: ECONO - 4 PACK IGBT, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 118 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 431 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA.
Інші пропозиції VS-GT75YF120UT за ціною від 7553.33 грн до 10131.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-GT75YF120UT | Виробник : Vishay Semiconductors | IGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|