Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (37668) > Сторінка 450 з 628

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 62 124 186 248 310 372 434 445 446 447 448 449 450 451 452 453 454 455 496 558 620 628  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
GP10J-E3/54 GP10J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 12164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.45 грн
11+ 27.6 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.41 грн
2000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
VS-MBR2035CT-M3 VS-MBR2035CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr2035_45ct-m3.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товар відсутній
SSC53L-E3/9AT SSC53L-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ssc53l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
товар відсутній
SSC53L-E3/9AT SSC53L-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ssc53l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.82 грн
10+ 34.56 грн
100+ 23.91 грн
500+ 18.75 грн
1000+ 15.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
SMB10J36A-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smb10j40a.pdf Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA
товар відсутній
S1MHE3_A/H S1MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+6.11 грн
3600+ 4.95 грн
5400+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 1800
S1MHE3_A/H S1MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 8594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.89 грн
16+ 19.26 грн
100+ 9.72 грн
500+ 7.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
SMCJ8.5AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE DO214AB
товар відсутній
SMCJ6.5AHE3_A/H SMCJ6.5AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SMCJ6.5AHE3_A/I SMCJ6.5AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SMCJ6.5AHM3_A/H SMCJ6.5AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SMBJ8.5AHE3_A/H SMBJ8.5AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
TZS4686-GS08 TZS4686-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4678_to_TZS4717_Rev1.9_22-Feb-18.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+3.54 грн
5000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
V1F6HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1f6.pdf Description: 1A 60V SMF TRENCH SKY RECT
товар відсутній
TZM5260B-GS08 TZM5260B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm5221.pdf Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+2.66 грн
5000+ 2.38 грн
12500+ 1.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TZM5260B-GS08 TZM5260B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm5221.pdf Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 14564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.97 грн
28+ 10.47 грн
100+ 5.1 грн
500+ 3.99 грн
1000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
TPSMB9.1AHE3_A/H TPSMB9.1AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO214AA
товар відсутній
BAW27-TAP BAW27-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division baw27.pdf Description: DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.97 грн
21+ 14.5 грн
100+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
EGF1B-E3/67A EGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-E3/67A EGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
GF1B-E3/5CA GF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
на замовлення 6381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.49 грн
10+ 30.31 грн
100+ 22.63 грн
500+ 16.69 грн
1000+ 12.9 грн
2000+ 11.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
EGF1B-E3/5CA EGF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-E3/5CA EGF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-1HE3_A/I EGF1B-1HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-1HE3_A/H EGF1B-1HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-1HE3/5CA EGF1B-1HE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-1HE3/67A EGF1B-1HE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
CS2M-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division cs2dgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товар відсутній
SL12-E3/5AT SL12-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division sl12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 445 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 16006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.21 грн
13+ 23.36 грн
100+ 11.78 грн
500+ 9.8 грн
1000+ 7.62 грн
2000+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
BU2010L-7001M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
BU2010L-7001E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
SM5S28ATHE3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10atthrusm5s36at.pdf Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 79A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-218AC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
TZMC18-GS18 TZMC18-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товар відсутній
TZMC18-GS18 TZMC18-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.49 грн
22+ 13.84 грн
100+ 7.33 грн
500+ 4.53 грн
1000+ 3.08 грн
2000+ 2.78 грн
5000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
SMCJ20AHE3_A/H SMCJ20AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SMCJ20AHE3_A/I SMCJ20AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
P6SMB39AHM3_A/I P6SMB39AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
P6SMB39AHM3/H P6SMB39AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
P6SMB39AHM3/I P6SMB39AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
V12P12HM3_A/H V12P12HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товар відсутній
V12P12HM3_A/H V12P12HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товар відсутній
BZD27B47P-M3-08 BZD27B47P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B47P-M3-08 BZD27B47P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BZD27C36P-E3-08 BZD27C36P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.66 грн
6000+ 5.33 грн
9000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BZD27C36P-E3-08 BZD27C36P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 27808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.85 грн
17+ 17.5 грн
100+ 8.83 грн
500+ 7.34 грн
1000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
BZD27B36P-E3-08 BZD27B36P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B36P-E3-18 BZD27B36P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B36P-M3-18 BZD27B36P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B47P-E3-08 BZD27B47P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B47P-E3-18 BZD27B47P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B47P-M3-18 BZD27B47P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B36P-HE3-08 BZD27B36P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B36P-HE3-18 BZD27B36P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BZD27B47P-HE3-08 BZD27B47P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B47P-HE3-18 BZD27B47P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
GP10-4004-E3/73 GP10-4004-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10-400x.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
товар відсутній
PLZ2V2B-G3/H PLZ2V2B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 2.32V 960MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±4.1%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.32 V
Impedance (Max) (Zzt): 120 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 700 mV
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 4500
PLZ2V2B-G3/H PLZ2V2B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 2.32V 960MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±4.1%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.32 V
Impedance (Max) (Zzt): 120 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 700 mV
на замовлення 13865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.77 грн
23+ 12.89 грн
100+ 6.31 грн
500+ 4.94 грн
1000+ 3.43 грн
2000+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
GP10J-E3/54 gp10a.pdf
GP10J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 12164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.45 грн
11+ 27.6 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.41 грн
2000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
VS-MBR2035CT-M3 vs-mbr2035_45ct-m3.pdf
VS-MBR2035CT-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товар відсутній
SSC53L-E3/9AT ssc53l.pdf
SSC53L-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
товар відсутній
SSC53L-E3/9AT ssc53l.pdf
SSC53L-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.82 грн
10+ 34.56 грн
100+ 23.91 грн
500+ 18.75 грн
1000+ 15.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
SMB10J36A-M3/52 smb10j40a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA
товар відсутній
S1MHE3_A/H s1.pdf
S1MHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1800+6.11 грн
3600+ 4.95 грн
5400+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 1800
S1MHE3_A/H s1.pdf
S1MHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 8594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.89 грн
16+ 19.26 грн
100+ 9.72 грн
500+ 7.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
SMCJ8.5AHE3_A/H smcj.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE DO214AB
товар відсутній
SMCJ6.5AHE3_A/H smcj.pdf
SMCJ6.5AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SMCJ6.5AHE3_A/I smcj.pdf
SMCJ6.5AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SMCJ6.5AHM3_A/H smcj.pdf
SMCJ6.5AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SMBJ8.5AHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ8.5AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
TZS4686-GS08 TZS4678_to_TZS4717_Rev1.9_22-Feb-18.pdf
TZS4686-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+3.54 грн
5000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
V1F6HM3/I v1f6.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 1A 60V SMF TRENCH SKY RECT
товар відсутній
TZM5260B-GS08 tzm5221.pdf
TZM5260B-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+2.66 грн
5000+ 2.38 грн
12500+ 1.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TZM5260B-GS08 tzm5221.pdf
TZM5260B-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 14564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.97 грн
28+ 10.47 грн
100+ 5.1 грн
500+ 3.99 грн
1000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
TPSMB9.1AHE3_A/H tpsmb.pdf
TPSMB9.1AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO214AA
товар відсутній
BAW27-TAP baw27.pdf
BAW27-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.97 грн
21+ 14.5 грн
100+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
EGF1B-E3/67A egf1a.pdf
EGF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-E3/67A egf1a.pdf
EGF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
GF1B-E3/5CA gf1.pdf
GF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
на замовлення 6381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.49 грн
10+ 30.31 грн
100+ 22.63 грн
500+ 16.69 грн
1000+ 12.9 грн
2000+ 11.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
EGF1B-E3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-E3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1BHE3_A/H egf1a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1BHE3_A/I egf1a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-1HE3_A/I egf1a.pdf
EGF1B-1HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-1HE3_A/H egf1a.pdf
EGF1B-1HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-1HE3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-1HE3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
EGF1B-1HE3/67A egf1a.pdf
EGF1B-1HE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товар відсутній
CS2M-E3/H cs2dgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товар відсутній
SL12-E3/5AT sl12.pdf
SL12-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 445 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 16006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.21 грн
13+ 23.36 грн
100+ 11.78 грн
500+ 9.8 грн
1000+ 7.62 грн
2000+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
BU2010L-7001M3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
BU2010L-7001E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
SM5S28ATHE3/I sm5s10atthrusm5s36at.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 79A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-218AC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
TZMC18-GS18 tzm.pdf
TZMC18-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товар відсутній
TZMC18-GS18 tzm.pdf
TZMC18-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.49 грн
22+ 13.84 грн
100+ 7.33 грн
500+ 4.53 грн
1000+ 3.08 грн
2000+ 2.78 грн
5000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
SMCJ20AHE3_A/H smcj.pdf
SMCJ20AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SMCJ20AHE3_A/I smcj.pdf
SMCJ20AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
P6SMB39AHM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB39AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
P6SMB39AHM3/H p6smb.pdf
P6SMB39AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
P6SMB39AHM3/I p6smb.pdf
P6SMB39AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
V12P12HM3_A/H v12p12.pdf
V12P12HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товар відсутній
V12P12HM3_A/H v12p12.pdf
V12P12HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товар відсутній
BZD27B47P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B47P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B47P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B47P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BZD27C36P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C36P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.66 грн
6000+ 5.33 грн
9000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BZD27C36P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C36P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 27808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.85 грн
17+ 17.5 грн
100+ 8.83 грн
500+ 7.34 грн
1000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
BZD27B36P-E3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B36P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B36P-E3-18 bzd27bseries.pdf
BZD27B36P-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B36P-M3-18 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B36P-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B47P-E3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B47P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B47P-E3-18 bzd27bseries.pdf
BZD27B47P-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B47P-M3-18 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B47P-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B36P-HE3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B36P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B36P-HE3-18 bzd27bseries.pdf
BZD27B36P-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BZD27B47P-HE3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B47P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товар відсутній
BZD27B47P-HE3-18 bzd27bseries.pdf
BZD27B47P-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
GP10-4004-E3/73 gp10-400x.pdf
GP10-4004-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
товар відсутній
PLZ2V2B-G3/H plzseries.pdf
PLZ2V2B-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.32V 960MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±4.1%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.32 V
Impedance (Max) (Zzt): 120 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 700 mV
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 4500
PLZ2V2B-G3/H plzseries.pdf
PLZ2V2B-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.32V 960MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±4.1%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.32 V
Impedance (Max) (Zzt): 120 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 700 mV
на замовлення 13865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.77 грн
23+ 12.89 грн
100+ 6.31 грн
500+ 4.94 грн
1000+ 3.43 грн
2000+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 62 124 186 248 310 372 434 445 446 447 448 449 450 451 452 453 454 455 496 558 620 628  [ Наступна Сторінка >> ]