![GP10J-E3/54 GP10J-E3/54](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/27/112;DO204AL,DO-41;;2.jpg)
GP10J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![gp10a.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5500+ | 9.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP10J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GP10J-E3/54 за ціною від 7.69 грн до 37.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GP10J-E3/54 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 8pF Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 50µA Reverse recovery time: 3µs |
на замовлення 10974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GP10J-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 12164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GP10J-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GP10J-E3/54 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 8pF Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 50µA Reverse recovery time: 3µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GP10J-E3/54 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
GP10J-E3/54 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |