Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (23434) > Сторінка 12 з 391

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 39 78 117 156 195 234 273 312 351 390 391  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
S2A R5G S2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.17 грн
11+ 27.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
S2AA R3G S2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товар відсутній
S2AA R3G S2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товар відсутній
S2B R5G S2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S2B R5G S2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S2D R5G S2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товар відсутній
S2D R5G S2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товар відсутній
S2KA R3G S2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 1800
S2KA R3G S2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.92 грн
11+ 26.57 грн
100+ 18.09 грн
500+ 12.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
S2MA R3G S2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S2MA R3G S2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S3AB R5G S3AB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S3AB R5G S3AB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S3ABHR5G S3ABHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S3ABHR5G S3ABHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S3BB R5G S3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товар відсутній
S3BB R5G S3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.48 грн
10+ 37.82 грн
100+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
S3DB R5G S3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товар відсутній
S3DB R5G S3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товар відсутній
S3M R7G S3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
S3M R7G S3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.43 грн
11+ 27.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
S3MB R5G S3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
S3MB R5G S3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.65 грн
13+ 23.74 грн
100+ 16.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
S3MBHR5G S3MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
S3MBHR5G S3MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
S5J R7G S5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A%20SERIES_D1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5J R7G S5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A%20SERIES_D1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5JB R5G S5JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5JB R5G S5JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5JBHR5G S5JBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5JBHR5G S5JBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5M R7G S5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A%20SERIES_D1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5M R7G S5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A%20SERIES_D1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5MB R5G S5MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 71400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+17.59 грн
1700+ 13.76 грн
2550+ 12.31 грн
5950+ 10.96 грн
21250+ 10.18 грн
42500+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 850
S5MB R5G S5MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 72375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.69 грн
10+ 31.14 грн
100+ 21.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
S8GC R7G S8GC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_F2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S8GC R7G S8GC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_F2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SA15CA A0G SA15CA A0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_K1602.pdf Description: TVS DIODE 15V 24.4V DO204AC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SA15CA A0G SA15CA A0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_K1602.pdf Description: TVS DIODE 15V 24.4V DO204AC
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SBS25 REG SBS25 REG Taiwan Semiconductor Corporation SBS24%20SERIES_C2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A ABS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SBS25 REG SBS25 REG Taiwan Semiconductor Corporation SBS24%20SERIES_C2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A ABS
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF18G A0G SF18G A0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SF18G Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
SF18G A0G SF18G A0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SF18G Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.65 грн
15+ 19.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
SF24G A0G SF24G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 200
товар відсутній
SF24G A0G SF24G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 200
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.66 грн
14+ 21.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
SF26G A0G SF26G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
SF26G A0G SF26G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.66 грн
14+ 21.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
SF28G A0G SF28G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21G%20SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC
товар відсутній
SF28G A0G SF28G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21G%20SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF3004PT C0G SF3004PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3001PT%20SERIES_H15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF3008PT C0G SF3008PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3001PT%20SERIES_H15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF34G A0G SF34G A0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SF34G Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
SF34G A0G SF34G A0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SF34G Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.68 грн
11+ 28.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
SF36G A0G SF36G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
SF36G A0G SF36G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
SF38G A0G SF38G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
SF38G A0G SF38G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF64G A0G SF64G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF61G%20SERIES_F1511.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 6A DO201AD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF64G A0G SF64G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF61G%20SERIES_F1511.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 6A DO201AD
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF66G A0G SF66G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 400V 6A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
S2A R5G S2A%20SERIES_N2102.pdf
S2A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.17 грн
11+ 27.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
S2AA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2AA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товар відсутній
S2AA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2AA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товар відсутній
S2B R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2B R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S2B R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2B R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S2D R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2D R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товар відсутній
S2D R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2D R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товар відсутній
S2KA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1800+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 1800
S2KA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.92 грн
11+ 26.57 грн
100+ 18.09 грн
500+ 12.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
S2MA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S2MA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S3AB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3AB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S3AB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3AB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S3ABHR5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3ABHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S3ABHR5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3ABHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S3BB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товар відсутній
S3BB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.48 грн
10+ 37.82 грн
100+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
S3DB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товар відсутній
S3DB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товар відсутній
S3M R7G S3A%20SERIES_N2102.pdf
S3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
S3M R7G S3A%20SERIES_N2102.pdf
S3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.43 грн
11+ 27.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
S3MB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
S3MB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.65 грн
13+ 23.74 грн
100+ 16.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
S3MBHR5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3MBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
S3MBHR5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3MBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
S5J R7G S5A%20SERIES_D1708.pdf
S5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5J R7G S5A%20SERIES_D1708.pdf
S5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5JB R5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5JB R5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5JBHR5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5JBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5JBHR5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5JBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5M R7G S5A%20SERIES_D1708.pdf
S5M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5M R7G S5A%20SERIES_D1708.pdf
S5M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5MB R5G S5GB%20SERIES_D2102.pdf
S5MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 71400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+17.59 грн
1700+ 13.76 грн
2550+ 12.31 грн
5950+ 10.96 грн
21250+ 10.18 грн
42500+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 850
S5MB R5G S5GB%20SERIES_D2102.pdf
S5MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 72375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.69 грн
10+ 31.14 грн
100+ 21.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
S8GC R7G S8GC%20SERIES_F2102.pdf
S8GC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S8GC R7G S8GC%20SERIES_F2102.pdf
S8GC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SA15CA A0G SA%20SERIES_K1602.pdf
SA15CA A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 15V 24.4V DO204AC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SA15CA A0G SA%20SERIES_K1602.pdf
SA15CA A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 15V 24.4V DO204AC
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SBS25 REG SBS24%20SERIES_C2103.pdf
SBS25 REG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A ABS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SBS25 REG SBS24%20SERIES_C2103.pdf
SBS25 REG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A ABS
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF18G A0G pdf.php?pn=SF18G
SF18G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
SF18G A0G pdf.php?pn=SF18G
SF18G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.65 грн
15+ 19.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
SF24G A0G SF21G SERIES_H2105.pdf
SF24G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 200
товар відсутній
SF24G A0G SF21G SERIES_H2105.pdf
SF24G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 200
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.66 грн
14+ 21.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
SF26G A0G SF21G SERIES_H2105.pdf
SF26G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
SF26G A0G SF21G SERIES_H2105.pdf
SF26G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.66 грн
14+ 21.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
SF28G A0G SF21G%20SERIES_H2105.pdf
SF28G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC
товар відсутній
SF28G A0G SF21G%20SERIES_H2105.pdf
SF28G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF3004PT C0G SF3001PT%20SERIES_H15.pdf
SF3004PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF3008PT C0G SF3001PT%20SERIES_H15.pdf
SF3008PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF34G A0G pdf.php?pn=SF34G
SF34G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
SF34G A0G pdf.php?pn=SF34G
SF34G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.68 грн
11+ 28.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
SF36G A0G SF31G SERIES_H2105.pdf
SF36G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
SF36G A0G SF31G SERIES_H2105.pdf
SF36G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
SF38G A0G SF31G SERIES_H2105.pdf
SF38G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
SF38G A0G SF31G SERIES_H2105.pdf
SF38G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF64G A0G SF61G%20SERIES_F1511.pdf
SF64G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 6A DO201AD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF64G A0G SF61G%20SERIES_F1511.pdf
SF64G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 6A DO201AD
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SF66G A0G
SF66G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 6A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 39 78 117 156 195 234 273 312 351 390 391  [ Наступна Сторінка >> ]