Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (3424) > Сторінка 35 з 58
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MTD2009J | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2013G | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2017G | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 154 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2019J | SHINDENGEN |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
MTD2019J | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2019JA | SHINDENGEN | 00+ SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2019JA | SHINDENGEN | 2004 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2023G | SHINDENGEN | 00+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2025J | SHINDENGEN | 2004 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2033G-3072 | Shindengen | Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Stepping Motor Driver Power ICs MTD |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
MTD2035G | SHINDENGEN |
на замовлення 9180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
MTD2035G | SHINDENGEN | HSOP24 |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2039G | SHINDENGEN | HSOP24 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2113F | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2113F | SHINDENGEN | 2003 |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2113G | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 338 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2114G | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2114G | SHINDENGEN | 03+ LF HSOP28 |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2114G | SHINDENGEN | 2005 |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2114R | SHINDENGEN |
на замовлення 9287 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
MTD2123 | SHINDENGEN | 2000 |
на замовлення 3183 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2213G | SHINDENGEN | 2003 |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2525J | SHINDENGEN | 2000 |
на замовлення 614 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MV1001SC-5072 | Shindengen | LED Lighting Drivers LED Driver IC |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
MV1002SC-5072 | Shindengen | LED Lighting Drivers LED Driver IC |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
MV1011SC-5072 | Shindengen | Switching Controllers LED Driver Power IC MV series |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
MV1012SC-5072 | Shindengen | Switching Controllers LED Driver Power IC MV series |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
MV2002SG-3072 | Shindengen | LED Lighting Drivers LED Driver IC |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
MV2052SG-3072 | Shindengen | LED Lighting Drivers LED Driver IC |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NSD03A40 | Shindengen |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
NSD03C20 | SHINDENGEN |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
NSF03A60 | SHINDENGEN |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
P0R5B60HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Power dissipation: 35W Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 2A Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.5A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P0R5B60HP2-5071 | Shindengen | MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P0R5B60HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Power dissipation: 35W Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 2A Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.5A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P100FA7R5EN-5100 | Shindengen | MOSFET 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P100FH4ENK-7071 | Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P100FP12SN-5071 | SHINDENGEN | P100FP12SN-5071 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P105LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Drain current: 105A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 76nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Drain-source voltage: 40V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P105LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Drain current: 105A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 76nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P105LF4QLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Drain current: 105A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 76nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Drain-source voltage: 40V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P105LF4QLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Drain current: 105A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 76nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P105LF4QN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Drain current: 105A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 62nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Drain-source voltage: 40V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P105LF4QN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Drain current: 105A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 62nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P105LF4QNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Drain current: 105A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 62nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Drain-source voltage: 40V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P105LF4QNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Drain current: 105A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 62nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P10B28HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 10A; Idm: 40A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 280V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 70W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P10B28HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 10A; Idm: 40A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 280V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 70W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Technology: Hi-PotMOS2 |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P10F50HP2-5600 | Shindengen | MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Technology: Hi-PotMOS2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Technology: Hi-PotMOS2 |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P10F60HP2-5600 | Shindengen | MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Technology: Hi-PotMOS2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 343 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P120LF6GLK-5071 | SHINDENGEN | P120LF6GLK-5071 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P120LF6GMK-5071 | SHINDENGEN | P120LF6GMK-5071 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A Pulsed drain current: 504A Power dissipation: 238W Case: FP (SC83 similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A Pulsed drain current: 504A Power dissipation: 238W Case: FP (SC83 similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P126FP7R5SNK-5071 | SHINDENGEN | P126FP7R5SNK-5071 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
P12F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 90W On-state resistance: 670mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 26.5nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
MTD2033G-3072 |
Виробник: Shindengen
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Stepping Motor Driver Power ICs MTD
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Stepping Motor Driver Power ICs MTD
товару немає в наявності
MV1011SC-5072 |
Виробник: Shindengen
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
товару немає в наявності
MV1012SC-5072 |
Виробник: Shindengen
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
товару немає в наявності
P0R5B60HP2-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Power dissipation: 35W
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 2A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Power dissipation: 35W
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 2A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.55 грн |
10+ | 39.18 грн |
13+ | 29.28 грн |
25+ | 27.35 грн |
55+ | 15.82 грн |
150+ | 14.93 грн |
P0R5B60HP2-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
P0R5B60HP2-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Power dissipation: 35W
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 2A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Power dissipation: 35W
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 2A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.06 грн |
6+ | 48.83 грн |
10+ | 35.13 грн |
25+ | 32.82 грн |
55+ | 18.98 грн |
150+ | 17.92 грн |
P100FP12SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P100FP12SN-5071 SMD N channel transistors
P100FP12SN-5071 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
P105LF4QL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
P105LF4QL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
P105LF4QLK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
P105LF4QLK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
P105LF4QN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 56.53 грн |
9+ | 43.77 грн |
25+ | 34.75 грн |
P105LF4QN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.83 грн |
6+ | 54.54 грн |
25+ | 41.7 грн |
69+ | 39.92 грн |
500+ | 38.95 грн |
P105LF4QNK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
P105LF4QNK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
P10B28HP2-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 10A; Idm: 40A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 70W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 10A; Idm: 40A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 70W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
P10B28HP2-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 10A; Idm: 40A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 70W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 10A; Idm: 40A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 70W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
P10F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 63.58 грн |
17+ | 51.01 грн |
P10F50HP2-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
P10F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.72 грн |
5+ | 79.23 грн |
17+ | 61.21 грн |
47+ | 57.66 грн |
P10F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 65.06 грн |
17+ | 53.23 грн |
45+ | 50.27 грн |
P10F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 93.63 грн |
5+ | 81.07 грн |
17+ | 63.87 грн |
45+ | 60.33 грн |
P120LF6GLK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P120LF6GLK-5071 SMD N channel transistors
P120LF6GLK-5071 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
P120LF6GMK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P120LF6GMK-5071 SMD N channel transistors
P120LF6GMK-5071 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
P126FP10SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 138.99 грн |
8+ | 110.89 грн |
22+ | 104.98 грн |
P126FP10SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 200.63 грн |
3+ | 173.2 грн |
8+ | 133.07 грн |
22+ | 125.97 грн |
240+ | 124.2 грн |
P126FP7R5SNK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P126FP7R5SNK-5071 SMD N channel transistors
P126FP7R5SNK-5071 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
P12F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 90W
On-state resistance: 670mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26.5nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 90W
On-state resistance: 670mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26.5nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 81.21 грн |
6+ | 67.28 грн |
15+ | 59.14 грн |
40+ | 56.19 грн |
100+ | 53.97 грн |