P126FP10SN-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 138.99 грн |
8+ | 110.89 грн |
22+ | 104.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P126FP10SN-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 126A, Pulsed drain current: 504A, Power dissipation: 238W, Case: FP (SC83 similar), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 160nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P126FP10SN-5071 за ціною від 124.2 грн до 200.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P126FP10SN-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A Pulsed drain current: 504A Power dissipation: 238W Case: FP (SC83 similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P126FP10SN-5071 | Виробник : Shindengen Electric Manufacturing Co. | P126FP10SN-5071 |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|