Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (216) > Сторінка 3 з 4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U-1916793.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.14 грн
10+ 241.68 грн
120+ 182.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.86 грн
10+ 372 грн
100+ 310.01 грн
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.15 грн
10+ 763.84 грн
100+ 632.45 грн
500+ 516.84 грн
1000+ 454.69 грн
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B-1916802.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+669.94 грн
10+ 566.61 грн
120+ 409.77 грн
270+ 392.9 грн
510+ 361.27 грн
1020+ 325.42 грн
2520+ 310.66 грн
GP3D020A120U GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U-1916846.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+716.68 грн
120+ 531.04 грн
270+ 452.64 грн
510+ 436.47 грн
1020+ 417.5 грн
2520+ 406.95 грн
5010+ 404.14 грн
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1018.44 грн
10+ 922.25 грн
30+ 769.63 грн
60+ 743.62 грн
120+ 677.55 грн
270+ 644.52 грн
510+ 602.35 грн
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.3 грн
10+ 817.51 грн
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ 397_5e0bb6c624336-GP3D024A065U_rev1.pdf Description: DIODE SILICON CARBIDE
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.28 грн
10+ 515.65 грн
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U-1916742.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.08 грн
10+ 434.86 грн
120+ 330.34 грн
270+ 322.61 грн
510+ 302.23 грн
1020+ 277.63 грн
2520+ 269.19 грн
GP3D030A060B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
товар відсутній
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.79 грн
10+ 474.43 грн
100+ 395.39 грн
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B-1916624.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.16 грн
10+ 379.89 грн
120+ 294.5 грн
270+ 287.47 грн
510+ 259.35 грн
1020+ 222.81 грн
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B-1916827.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+934.8 грн
60+ 802.63 грн
120+ 658.58 грн
270+ 633.27 грн
510+ 613.59 грн
1020+ 590.4 грн
2520+ 572.83 грн
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.08 грн
10+ 1066.73 грн
100+ 900.9 грн
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U-1916639.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U-1916860.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.1 грн
10+ 624.8 грн
120+ 486.38 грн
510+ 449.83 грн
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.21 грн
10+ 542.66 грн
GP3D040A120U GP3D040A120U SemiQ GP3D040A120U-1916868.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1114.38 грн
10+ 1009.55 грн
30+ 842.02 грн
60+ 813.91 грн
120+ 740.81 грн
270+ 704.97 грн
510+ 658.58 грн
GP3D050A065B GP3D050A065B SemiQ Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B-1915593.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1427.62 грн
10+ 1344.18 грн
30+ 991.03 грн
120+ 931.99 грн
270+ 915.82 грн
510+ 844.83 грн
1020+ 806.18 грн
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1851.34 грн
10+ 1644.39 грн
100+ 1404.18 грн
GP3D060A120B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
товар відсутній
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U-1916754.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2307.48 грн
10+ 2098.31 грн
120+ 1823.91 грн
510+ 1693.18 грн
1020+ 1608.84 грн
2520+ 1582.13 грн
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 212 W
товар відсутній
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 223 W
товар відсутній
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
товар відсутній
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товар відсутній
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR SemiQ GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 300 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товар відсутній
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
товар відсутній
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND SemiQ GPA040A120L-ND.pdf Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
товар відсутній
GPA040A120MN-FD GPA040A120MN-FD SemiQ GPA040A120MN-FD_REV0.0_3-14.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/200ns
Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 480 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 480 W
товар відсутній
GPA042A100L-ND GPA042A100L-ND SemiQ GPA042A100L-ND_REV1_8-12.pdf Description: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 230ns/1480ns
Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 405 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
GPI040A060MN-FD GPI040A060MN-FD SemiQ GPI040A060MN-FD_REV0_9-13.pdf Description: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/85ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товар відсутній
GSID080A120B1A5 GSID080A120B1A5 SemiQ GSID080A120B1A5.pdf Description: IGBT MOD 1200V 160A 1710W
товар відсутній
GSID100A120S5C1 GSID100A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 170A 650W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.7 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID150A120S3B1 GSID150A120S3B1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID150A120S5C1 GSID150A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID150A120S6A4 GSID150A120S6A4 SemiQ GSID150A120S6A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 275A 1035W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1035 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.2 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID150A120T2C1 GSID150A120T2C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID200A120S3B1 GSID200A120S3B1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID200A120S5C1 GSID200A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 335A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 335 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.4 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID200A170S3B1 GSID200A170S3B1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 400A 1630W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID300A120S5C1 GSID300A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 430A 1630W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 430 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID300A125S5C1 GSID300A125S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1250V 600A 2500W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.8 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID600A120S4B1 GSID600A120S4B1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 1130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3060 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 51 nF @ 25 V
товар відсутній
GSXD030A004S1-D3 GSXD030A004S1-D3 SemiQ GSXD030A004S1-D3_1-2020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товар відсутній
GSXD030A010S1-D3 GSXD030A010S1-D3 SemiQ GSXD030A010S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товар відсутній
GSXD050A012S1-D3 GSXD050A012S1-D3 SemiQ GSXD050A012S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2699.83 грн
GSXD050A015S1-D3 GSXD050A015S1-D3 SemiQ GSXD050A015S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2420.8 грн
GSXD050A020S1-D3 GSXD050A020S1-D3 SemiQ GSXD050A020S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GSXD060A004S1-D3 GSXD060A004S1-D3 SemiQ GSXD060A004S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GSXD060A006S1-D3 GSXD060A006S1-D3 SemiQ GSXD060A006S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GSXD060A008S1-D3 GSXD060A008S1-D3 SemiQ GSXD060A008S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2871.66 грн
GSXD060A010S1-D3 GSXD060A010S1-D3 SemiQ GSXD060A010S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товар відсутній
GSXD060A012S1-D3 GSXD060A012S1-D3 SemiQ GSXD060A012S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
товар відсутній
GSXD060A015S1-D3 GSXD060A015S1-D3 SemiQ GSXD060A015S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
товар відсутній
GSXD060A018S1-D3 GSXD060A018S1-D3 SemiQ GSXD060A018S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
товар відсутній
GSXD060A020S1-D3 GSXD060A020S1-D3 SemiQ GSXD060A020S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GSXD080A004S1-D3 GSXD080A004S1-D3 SemiQ GSXD080A004S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 80A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2658.02 грн
13+ 2274.09 грн
GP3D020A065U GP3D020A065U-1916793.pdf
GP3D020A065U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+309.14 грн
10+ 241.68 грн
120+ 182.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
GP3D020A065U GP3D020A065U.pdf
GP3D020A065U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.86 грн
10+ 372 грн
100+ 310.01 грн
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+878.15 грн
10+ 763.84 грн
100+ 632.45 грн
500+ 516.84 грн
1000+ 454.69 грн
GP3D020A120B GP3D020A120B-1916802.pdf
GP3D020A120B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+669.94 грн
10+ 566.61 грн
120+ 409.77 грн
270+ 392.9 грн
510+ 361.27 грн
1020+ 325.42 грн
2520+ 310.66 грн
GP3D020A120U GP3D020A120U-1916846.pdf
GP3D020A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+716.68 грн
120+ 531.04 грн
270+ 452.64 грн
510+ 436.47 грн
1020+ 417.5 грн
2520+ 406.95 грн
5010+ 404.14 грн
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1018.44 грн
10+ 922.25 грн
30+ 769.63 грн
60+ 743.62 грн
120+ 677.55 грн
270+ 644.52 грн
510+ 602.35 грн
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+963.3 грн
10+ 817.51 грн
GP3D024A065U 397_5e0bb6c624336-GP3D024A065U_rev1.pdf
GP3D024A065U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+592.28 грн
10+ 515.65 грн
GP3D024A065U GP3D024A065U-1916742.pdf
GP3D024A065U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+487.08 грн
10+ 434.86 грн
120+ 330.34 грн
270+ 322.61 грн
510+ 302.23 грн
1020+ 277.63 грн
2520+ 269.19 грн
GP3D030A060B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
товар відсутній
GP3D030A065B GP3D030A065B.pdf
GP3D030A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+574.79 грн
10+ 474.43 грн
100+ 395.39 грн
GP3D030A065B GP3D030A065B-1916624.pdf
GP3D030A065B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+482.16 грн
10+ 379.89 грн
120+ 294.5 грн
270+ 287.47 грн
510+ 259.35 грн
1020+ 222.81 грн
GP3D030A120B GP3D030A120B-1916827.pdf
GP3D030A120B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+934.8 грн
60+ 802.63 грн
120+ 658.58 грн
270+ 633.27 грн
510+ 613.59 грн
1020+ 590.4 грн
2520+ 572.83 грн
GP3D030A120B GP3D030A120B.pdf
GP3D030A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1205.08 грн
10+ 1066.73 грн
100+ 900.9 грн
GP3D030A120U GP3D030A120U-1916639.pdf
GP3D030A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GP3D040A065U GP3D040A065U-1916860.pdf
GP3D040A065U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+701.1 грн
10+ 624.8 грн
120+ 486.38 грн
510+ 449.83 грн
GP3D040A065U GP3D040A065U.pdf
GP3D040A065U
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624.21 грн
10+ 542.66 грн
GP3D040A120U GP3D040A120U-1916868.pdf
GP3D040A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1114.38 грн
10+ 1009.55 грн
30+ 842.02 грн
60+ 813.91 грн
120+ 740.81 грн
270+ 704.97 грн
510+ 658.58 грн
GP3D050A065B
GP3D050A065B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GP3D050A120B GP3D050A120B-1915593.pdf
GP3D050A120B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1427.62 грн
10+ 1344.18 грн
30+ 991.03 грн
120+ 931.99 грн
270+ 915.82 грн
510+ 844.83 грн
1020+ 806.18 грн
GP3D050A120B GP3D050A120B.pdf
GP3D050A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1851.34 грн
10+ 1644.39 грн
100+ 1404.18 грн
GP3D060A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
товар відсутній
GP3D060A120U GP3D060A120U-1916754.pdf
GP3D060A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2307.48 грн
10+ 2098.31 грн
120+ 1823.91 грн
510+ 1693.18 грн
1020+ 1608.84 грн
2520+ 1582.13 грн
GP3D060A120U GP3D060A120U.pdf
GP3D060A120U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf
GPA015A120MN-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 212 W
товар відсутній
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA020A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 223 W
товар відсутній
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf
GPA020A135MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
товар відсутній
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA030A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товар відсутній
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf
GPA030A135MN-FDR
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 300 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товар відсутній
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD.pdf
GPA040A120L-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
товар відсутній
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND.pdf
GPA040A120L-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
товар відсутній
GPA040A120MN-FD GPA040A120MN-FD_REV0.0_3-14.pdf
GPA040A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/200ns
Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 480 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 480 W
товар відсутній
GPA042A100L-ND GPA042A100L-ND_REV1_8-12.pdf
GPA042A100L-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 230ns/1480ns
Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 405 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
GPI040A060MN-FD GPI040A060MN-FD_REV0_9-13.pdf
GPI040A060MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/85ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товар відсутній
GSID080A120B1A5 GSID080A120B1A5.pdf
GSID080A120B1A5
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 160A 1710W
товар відсутній
GSID100A120S5C1
GSID100A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 170A 650W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.7 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID150A120S3B1
GSID150A120S3B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID150A120S5C1
GSID150A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID150A120S6A4 GSID150A120S6A4.pdf
GSID150A120S6A4
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1035W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1035 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.2 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID150A120T2C1
GSID150A120T2C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID200A120S3B1
GSID200A120S3B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID200A120S5C1
GSID200A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 335A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 335 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.4 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID200A170S3B1
GSID200A170S3B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 400A 1630W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID300A120S5C1
GSID300A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 430A 1630W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 430 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID300A125S5C1
GSID300A125S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1250V 600A 2500W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.8 nF @ 25 V
товар відсутній
GSID600A120S4B1
GSID600A120S4B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 1130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3060 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 51 nF @ 25 V
товар відсутній
GSXD030A004S1-D3 GSXD030A004S1-D3_1-2020.pdf
GSXD030A004S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товар відсутній
GSXD030A010S1-D3 GSXD030A010S1-D3.pdf
GSXD030A010S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товар відсутній
GSXD050A012S1-D3 GSXD050A012S1-D3.pdf
GSXD050A012S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2699.83 грн
GSXD050A015S1-D3 GSXD050A015S1-D3.pdf
GSXD050A015S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2420.8 грн
GSXD050A020S1-D3 GSXD050A020S1-D3.pdf
GSXD050A020S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GSXD060A004S1-D3 GSXD060A004S1-D3.pdf
GSXD060A004S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GSXD060A006S1-D3 GSXD060A006S1-D3.pdf
GSXD060A006S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GSXD060A008S1-D3 GSXD060A008S1-D3.pdf
GSXD060A008S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2871.66 грн
GSXD060A010S1-D3 GSXD060A010S1-D3.pdf
GSXD060A010S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товар відсутній
GSXD060A012S1-D3 GSXD060A012S1-D3.pdf
GSXD060A012S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
товар відсутній
GSXD060A015S1-D3 GSXD060A015S1-D3.pdf
GSXD060A015S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
товар відсутній
GSXD060A018S1-D3 GSXD060A018S1-D3.pdf
GSXD060A018S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
товар відсутній
GSXD060A020S1-D3 GSXD060A020S1-D3.pdf
GSXD060A020S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GSXD080A004S1-D3 GSXD080A004S1-D3.pdf
GSXD080A004S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 80A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2658.02 грн
13+ 2274.09 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]