Результат пошуку "IRFZ44N" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 589
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 232
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 379
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 277
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 133
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 450
Мінімальне замовлення: 320
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 270
Мінімальне замовлення: 258
Мінімальне замовлення: 258
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ44NPBF Код товару: 35403 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: THT |
у наявності: 1109 шт
1021 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ 27 шт - РАДІОМАГ-Львів 26 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRLPBF Код товару: 122891 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 270 шт
270 шт - склад
|
|
|||||||||||||||
AUIRFZ44NS Код товару: 152487 |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 9 шт
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
|
|
||||||||||||||||
IRFZ44N | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220 Packaging: Tube |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44N | International Rectifier |
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 5813 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44N | International Rectifier |
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44N | International Rectifier |
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 110W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Technology: HEXFET® Gate charge: 42nC Kind of package: tube |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm |
на замовлення 157 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 110W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Technology: HEXFET® Gate charge: 42nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Technology: HEXFET® Gate charge: 42nC Kind of package: tube |
на замовлення 641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 197 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Technology: HEXFET® Gate charge: 42nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 641 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 63947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 16176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC |
на замовлення 11499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NS | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm |
на замовлення 65 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRL | Infineon |
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRL | Infineon |
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 13096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC |
на замовлення 17211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSTRRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44NPBF | IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFZ44NPBF | IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFZ44NS | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ44NS | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ44NS | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFZ44NSTRPBF | IR | TO220 10+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
AUIRFZ44N | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRFZ44N | International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRFZ44NS | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRFZ44NSTRL | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRFZ44NSTRL | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий IRFZ44NPBF 49A 55V N-ch TO-220AB |
на замовлення 59 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTE2395 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 200A |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFZ44N Код товару: 1322 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||
IRFZ44NSPBF Код товару: 37486 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
IRFZ44NPBF Код товару: 35403 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1109 шт
1021 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
27 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
27 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 20.00 грн |
10+ | 17.90 грн |
100+ | 16.00 грн |
IRFZ44NSTRLPBF Код товару: 122891 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 270 шт
270 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 23.50 грн |
10+ | 21.50 грн |
AUIRFZ44NS Код товару: 152487 |
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 54.00 грн |
IRFZ44N |
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.92 грн |
10+ | 43.39 грн |
100+ | 29.94 грн |
IRFZ44N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5813 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 26.00 грн |
IRFZ44N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 26.00 грн |
IRFZ44N |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.51 грн |
IRFZ44N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 26.00 грн |
IRFZ44N |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 22.74 грн |
IRFZ44NLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: HEXFET®
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: HEXFET®
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 61.58 грн |
10+ | 55.13 грн |
18+ | 47.26 грн |
49+ | 44.39 грн |
IRFZ44NLPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 22.00 грн |
IRFZ44NLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: HEXFET®
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: HEXFET®
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.73 грн |
10+ | 66.16 грн |
18+ | 56.71 грн |
49+ | 53.27 грн |
IRFZ44NLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 39.88 грн |
50+ | 38.92 грн |
100+ | 36.84 грн |
IRFZ44NLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFZ44NLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFZ44NLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFZ44NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: HEXFET®
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: HEXFET®
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 75.57 грн |
10+ | 59.72 грн |
43+ | 19.69 грн |
117+ | 18.62 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 197 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 18.70 грн |
36+ | 17.46 грн |
100+ | 16.21 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: HEXFET®
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: HEXFET®
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.68 грн |
10+ | 74.41 грн |
43+ | 23.63 грн |
117+ | 22.34 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
589+ | 21.14 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 53.72 грн |
15+ | 41.43 грн |
100+ | 37.59 грн |
500+ | 31.77 грн |
1000+ | 25.74 грн |
4000+ | 24.10 грн |
10000+ | 23.85 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
232+ | 53.76 грн |
260+ | 47.85 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 32.40 грн |
4000+ | 31.58 грн |
10000+ | 30.69 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
379+ | 32.86 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 69.19 грн |
13+ | 49.92 грн |
100+ | 44.43 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 86.36 грн |
15+ | 53.51 грн |
100+ | 48.27 грн |
500+ | 36.30 грн |
1000+ | 28.68 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
277+ | 44.99 грн |
305+ | 40.83 грн |
500+ | 35.78 грн |
1000+ | 30.20 грн |
4000+ | 27.26 грн |
10000+ | 25.91 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 16176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.69 грн |
50+ | 56.51 грн |
100+ | 50.47 грн |
500+ | 37.43 грн |
1000+ | 34.23 грн |
2000+ | 31.55 грн |
5000+ | 28.32 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 30.52 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
на замовлення 11499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 106.66 грн |
10+ | 62.29 грн |
100+ | 45.85 грн |
500+ | 37.26 грн |
1000+ | 32.99 грн |
2000+ | 31.00 грн |
5000+ | 30.59 грн |
IRFZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 34.90 грн |
4000+ | 34.01 грн |
10000+ | 33.05 грн |
IRFZ44NS |
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 110.79 грн |
10+ | 67.66 грн |
100+ | 45.09 грн |
IRFZ44NS |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.37 грн |
IRFZ44NSPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 42.00 грн |
10+ | 35.23 грн |
100+ | 34.51 грн |
IRFZ44NSTRL |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 37.03 грн |
IRFZ44NSTRL |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 37.03 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 54.56 грн |
250+ | 49.37 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 49.48 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
133+ | 93.69 грн |
141+ | 88.30 грн |
183+ | 68.19 грн |
200+ | 62.66 грн |
800+ | 49.60 грн |
1600+ | 34.20 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 13096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.74 грн |
10+ | 89.93 грн |
100+ | 60.95 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 109.50 грн |
10+ | 81.74 грн |
50+ | 70.25 грн |
100+ | 54.56 грн |
250+ | 49.37 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 49.44 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 47.51 грн |
1600+ | 42.20 грн |
2400+ | 40.40 грн |
4000+ | 36.55 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
на замовлення 17211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.94 грн |
10+ | 93.28 грн |
100+ | 57.40 грн |
500+ | 57.33 грн |
800+ | 40.42 грн |
2400+ | 38.63 грн |
IRFZ44NSTRRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
450+ | 55.93 грн |
AUIRFZ44N |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
320+ | 66.55 грн |
AUIRFZ44N |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 67.33 грн |
AUIRFZ44NS |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
270+ | 78.59 грн |
AUIRFZ44NSTRL |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
258+ | 82.13 грн |
AUIRFZ44NSTRL |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
258+ | 82.13 грн |
Транзистор польовий IRFZ44NPBF 49A 55V N-ch TO-220AB |
на замовлення 59 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 18.01 грн |
NTE2395 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 200A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 200A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 441.84 грн |
IRFZ44N Код товару: 1322 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 19.50 грн |
10+ | 15.70 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]