Результат пошуку "BS170" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 1555
Мінімальне замовлення: 1534
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 28
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 1688
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 3143
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 33
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 33
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BS170-D26Z Код товару: 143717 |
ON |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,5 A Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ Монтаж: THT |
у наявності: 560 шт
438 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Львів 42 шт - РАДІОМАГ-Харків 44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||||
BS170 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1856 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 24515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 26012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 26012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 7602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92 |
на замовлення 54731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 7568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170"D27Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BS170-D26Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Fairchild Semiconductor |
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 128646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 128646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
на замовлення 45825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 77126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 76000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170- кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170- кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D27Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D27Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D27Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D27Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D27Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D27Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D27Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 1407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D74Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D74Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D75Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1123 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D75Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BS170-D75Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 5194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D75Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D75Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D75Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
на замовлення 27042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 22660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 22660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15mA Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 5120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15mA Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
на замовлення 227312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Chnl 60V |
на замовлення 20139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
BS170-D26Z Код товару: 143717 |
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 560 шт
438 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
42 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
42 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 7.5 грн |
10+ | 6.8 грн |
100+ | 6.2 грн |
1000+ | 5.5 грн |
BS170 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 21.14 грн |
25+ | 14.54 грн |
33+ | 11.05 грн |
100+ | 8 грн |
139+ | 6.03 грн |
382+ | 5.74 грн |
1000+ | 5.6 грн |
BS170 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.36 грн |
15+ | 18.12 грн |
30+ | 13.26 грн |
100+ | 9.59 грн |
139+ | 7.24 грн |
382+ | 6.89 грн |
1000+ | 6.72 грн |
BS170 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 24515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.14 грн |
22+ | 13.81 грн |
100+ | 9.28 грн |
500+ | 6.72 грн |
1000+ | 6.06 грн |
2000+ | 5.49 грн |
5000+ | 4.78 грн |
10000+ | 4.4 грн |
BS170 |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1555+ | 7.87 грн |
2500+ | 7.22 грн |
5000+ | 7.11 грн |
7500+ | 6.75 грн |
BS170 |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1534+ | 7.97 грн |
1749+ | 7 грн |
2500+ | 6.59 грн |
10000+ | 5.81 грн |
BS170 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 27.2 грн |
36+ | 17 грн |
100+ | 7.4 грн |
1000+ | 6.26 грн |
2500+ | 5.46 грн |
10000+ | 4.8 грн |
BS170 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 21.93 грн |
92+ | 6.66 грн |
100+ | 6.59 грн |
1000+ | 6.07 грн |
2500+ | 5 грн |
BS170 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
MOSFETs Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 54731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 22.71 грн |
22+ | 15.25 грн |
100+ | 6.35 грн |
1000+ | 5.58 грн |
2500+ | 5.02 грн |
10000+ | 4.81 грн |
50000+ | 4.61 грн |
BS170 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 29.04 грн |
39+ | 20.35 грн |
100+ | 9.16 грн |
500+ | 7.13 грн |
1000+ | 5.31 грн |
5000+ | 5.2 грн |
BS170 |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1688+ | 7.25 грн |
1703+ | 7.18 грн |
1786+ | 6.85 грн |
2500+ | 5.89 грн |
BS170 |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 5.76 грн |
BS170 |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 5.76 грн |
BS170"D27Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BS170-D26Z |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 25.05 грн |
20+ | 18.61 грн |
50+ | 13.01 грн |
100+ | 8.43 грн |
274+ | 8 грн |
500+ | 7.85 грн |
1000+ | 7.63 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.06 грн |
12+ | 23.19 грн |
50+ | 15.61 грн |
100+ | 10.12 грн |
274+ | 9.59 грн |
500+ | 9.42 грн |
1000+ | 9.16 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 6.33 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 128646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3143+ | 7.02 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 7.59 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 9.25 грн |
4000+ | 8.77 грн |
6000+ | 8.48 грн |
8000+ | 8 грн |
26000+ | 7.07 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 45825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.74 грн |
17+ | 18.94 грн |
100+ | 8.65 грн |
1000+ | 7.89 грн |
2000+ | 6.14 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 28.77 грн |
33+ | 18.42 грн |
100+ | 9.71 грн |
250+ | 8.59 грн |
500+ | 5.76 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 77126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.42 грн |
17+ | 17.15 грн |
100+ | 11.58 грн |
500+ | 8.43 грн |
1000+ | 7.62 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 7.67 грн |
4000+ | 6.76 грн |
6000+ | 6.43 грн |
10000+ | 5.7 грн |
14000+ | 5.49 грн |
20000+ | 5.29 грн |
50000+ | 5.15 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 25.99 грн |
50+ | 18.87 грн |
100+ | 11.74 грн |
500+ | 9.74 грн |
1000+ | 7.92 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 8.97 грн |
BS170-D26Z |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 8.97 грн |
BS170-D27Z |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 28.96 грн |
19+ | 19.92 грн |
22+ | 17.08 грн |
50+ | 11.85 грн |
100+ | 10.32 грн |
135+ | 6.21 грн |
371+ | 5.87 грн |
BS170-D27Z |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.76 грн |
11+ | 24.82 грн |
13+ | 20.5 грн |
50+ | 14.22 грн |
100+ | 12.39 грн |
135+ | 7.46 грн |
371+ | 7.05 грн |
BS170-D27Z |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 23.45 грн |
21+ | 15.73 грн |
100+ | 7.12 грн |
1000+ | 6.42 грн |
2000+ | 4.88 грн |
10000+ | 4.33 грн |
BS170-D27Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
33+ | 24.11 грн |
50+ | 17.3 грн |
100+ | 10.49 грн |
500+ | 8.5 грн |
1000+ | 6.71 грн |
BS170-D27Z |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 5.75 грн |
BS170-D27Z |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 23.04 грн |
40+ | 15.45 грн |
100+ | 8.3 грн |
BS170-D27Z |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.19 грн |
17+ | 17.95 грн |
100+ | 11.35 грн |
500+ | 7.96 грн |
1000+ | 7.09 грн |
BS170-D74Z |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 27.17 грн |
17+ | 17.74 грн |
100+ | 11.94 грн |
500+ | 8.69 грн |
BS170-D74Z |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 7.9 грн |
4000+ | 6.96 грн |
6000+ | 6.63 грн |
10000+ | 5.87 грн |
BS170-D74Z |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BS170-D75Z |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 25.05 грн |
21+ | 17.95 грн |
50+ | 12.58 грн |
100+ | 10.69 грн |
101+ | 8.29 грн |
278+ | 7.85 грн |
500+ | 7.7 грн |
1000+ | 7.56 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.06 грн |
13+ | 22.37 грн |
50+ | 15.09 грн |
100+ | 12.82 грн |
101+ | 9.94 грн |
278+ | 9.42 грн |
500+ | 9.25 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BS170-D75Z |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.99 грн |
14+ | 22.1 грн |
100+ | 14.04 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 28.35 грн |
31+ | 19.64 грн |
100+ | 11.97 грн |
250+ | 10.97 грн |
500+ | 10.42 грн |
1000+ | 6.17 грн |
3000+ | 5.76 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 9.6 грн |
4000+ | 9.46 грн |
6000+ | 9.32 грн |
8000+ | 8.85 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 9.08 грн |
4000+ | 8.22 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BS170-D75Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
33+ | 24.27 грн |
50+ | 18.08 грн |
100+ | 11.82 грн |
500+ | 9.3 грн |
1000+ | 6.98 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 27042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 29.55 грн |
14+ | 24.64 грн |
100+ | 11.1 грн |
1000+ | 9.35 грн |
2000+ | 6.14 грн |
BS170F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 92.37 грн |
50+ | 75.23 грн |
100+ | 57.93 грн |
500+ | 38.31 грн |
1500+ | 34.69 грн |
BS170F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 57.93 грн |
500+ | 38.31 грн |
1500+ | 34.69 грн |
BS170FTA |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 45.4 грн |
14+ | 26.89 грн |
79+ | 10.69 грн |
216+ | 10.1 грн |
BS170FTA |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 54.48 грн |
10+ | 33.51 грн |
79+ | 12.82 грн |
216+ | 12.12 грн |
BS170FTA |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 45.55 грн |
BS170FTA |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 18.19 грн |
BS170FTA |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 18.55 грн |
BS170FTA |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 16.77 грн |
6000+ | 15.08 грн |
BS170FTA |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 227312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.61 грн |
10+ | 36.78 грн |
100+ | 25.29 грн |
500+ | 18.84 грн |
1000+ | 17.23 грн |
BS170FTA |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 17.02 грн |
BS170FTA |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 60V
MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 20139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 51.45 грн |
10+ | 40.61 грн |
100+ | 24.35 грн |
500+ | 19.33 грн |
1000+ | 17.65 грн |
3000+ | 16.54 грн |
BS170FTA |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 57.84 грн |
BS170FTA |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]