Результат пошуку "BS170" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BS170-D26Z BS170-D26Z
Код товару: 143717
ON FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 560 шт
438 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
42 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+7.5 грн
10+ 6.8 грн
100+ 6.2 грн
1000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
BS170 BS170 ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+21.14 грн
25+ 14.54 грн
33+ 11.05 грн
100+ 8 грн
139+ 6.03 грн
382+ 5.74 грн
1000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 19
BS170 BS170 ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.36 грн
15+ 18.12 грн
30+ 13.26 грн
100+ 9.59 грн
139+ 7.24 грн
382+ 6.89 грн
1000+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170 BS170 onsemi mmbf170-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 24515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.14 грн
22+ 13.81 грн
100+ 9.28 грн
500+ 6.72 грн
1000+ 6.06 грн
2000+ 5.49 грн
5000+ 4.78 грн
10000+ 4.4 грн
Мінімальне замовлення: 15
BS170 Aptina Imaging mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1555+7.87 грн
2500+ 7.22 грн
5000+ 7.11 грн
7500+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 1555
BS170 Aptina Imaging mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1534+7.97 грн
1749+ 7 грн
2500+ 6.59 грн
10000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 1534
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+27.2 грн
36+ 17 грн
100+ 7.4 грн
1000+ 6.26 грн
2500+ 5.46 грн
10000+ 4.8 грн
Мінімальне замовлення: 23
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.93 грн
92+ 6.66 грн
100+ 6.59 грн
1000+ 6.07 грн
2500+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 28
BS170 BS170 onsemi / Fairchild MMBF170_D-3179750.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 54731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.71 грн
22+ 15.25 грн
100+ 6.35 грн
1000+ 5.58 грн
2500+ 5.02 грн
10000+ 4.81 грн
50000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
BS170 BS170 ONSEMI 2304244.pdf Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.04 грн
39+ 20.35 грн
100+ 9.16 грн
500+ 7.13 грн
1000+ 5.31 грн
5000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 27
BS170 Aptina Imaging mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1688+7.25 грн
1703+ 7.18 грн
1786+ 6.85 грн
2500+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 1688
BS170 ON-Semicoductor mmbf170-d.pdf N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170 ON-Semicoductor mmbf170-d.pdf N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170"D27Z BS170"D27Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+25.05 грн
20+ 18.61 грн
50+ 13.01 грн
100+ 8.43 грн
274+ 8 грн
500+ 7.85 грн
1000+ 7.63 грн
Мінімальне замовлення: 16
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.06 грн
12+ 23.19 грн
50+ 15.61 грн
100+ 10.12 грн
274+ 9.59 грн
500+ 9.42 грн
1000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z BS170-D26Z Fairchild Semiconductor FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 128646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3143+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3143
BS170-D26Z ONSEMI FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BS170-D26Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.25 грн
4000+ 8.77 грн
6000+ 8.48 грн
8000+ 8 грн
26000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi / Fairchild MMBF170_D-3179750.pdf MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 45825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.74 грн
17+ 18.94 грн
100+ 8.65 грн
1000+ 7.89 грн
2000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.77 грн
33+ 18.42 грн
100+ 9.71 грн
250+ 8.59 грн
500+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 22
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 77126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.42 грн
17+ 17.15 грн
100+ 11.58 грн
500+ 8.43 грн
1000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.67 грн
4000+ 6.76 грн
6000+ 6.43 грн
10000+ 5.7 грн
14000+ 5.49 грн
20000+ 5.29 грн
50000+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.99 грн
50+ 18.87 грн
100+ 11.74 грн
500+ 9.74 грн
1000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 31
BS170-D26Z ON-Semicoductor FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170-D26Z ON-Semicoductor FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.96 грн
19+ 19.92 грн
22+ 17.08 грн
50+ 11.85 грн
100+ 10.32 грн
135+ 6.21 грн
371+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.76 грн
11+ 24.82 грн
13+ 20.5 грн
50+ 14.22 грн
100+ 12.39 грн
135+ 7.46 грн
371+ 7.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi / Fairchild MMBF170_D-3179750.pdf MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.45 грн
21+ 15.73 грн
100+ 7.12 грн
1000+ 6.42 грн
2000+ 4.88 грн
10000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI 694801.pdf Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.11 грн
50+ 17.3 грн
100+ 10.49 грн
500+ 8.5 грн
1000+ 6.71 грн
Мінімальне замовлення: 33
BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+23.04 грн
40+ 15.45 грн
100+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 27
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.19 грн
17+ 17.95 грн
100+ 11.35 грн
500+ 7.96 грн
1000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.17 грн
17+ 17.74 грн
100+ 11.94 грн
500+ 8.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.9 грн
4000+ 6.96 грн
6000+ 6.63 грн
10000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D74Z BS170-D74Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+25.05 грн
21+ 17.95 грн
50+ 12.58 грн
100+ 10.69 грн
101+ 8.29 грн
278+ 7.85 грн
500+ 7.7 грн
1000+ 7.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.06 грн
13+ 22.37 грн
50+ 15.09 грн
100+ 12.82 грн
101+ 9.94 грн
278+ 9.42 грн
500+ 9.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
BS170-D75Z ONSEMI FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D75Z BS170-D75Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.99 грн
14+ 22.1 грн
100+ 14.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.35 грн
31+ 19.64 грн
100+ 11.97 грн
250+ 10.97 грн
500+ 10.42 грн
1000+ 6.17 грн
3000+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 22
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.6 грн
4000+ 9.46 грн
6000+ 9.32 грн
8000+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.08 грн
4000+ 8.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D75Z BS170-D75Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.27 грн
50+ 18.08 грн
100+ 11.82 грн
500+ 9.3 грн
1000+ 6.98 грн
Мінімальне замовлення: 33
BS170-D75Z BS170-D75Z onsemi / Fairchild MMBF170_D-3179750.pdf MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 27042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.55 грн
14+ 24.64 грн
100+ 11.1 грн
1000+ 9.35 грн
2000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170F BS170F DIODES INC. DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.37 грн
50+ 75.23 грн
100+ 57.93 грн
500+ 38.31 грн
1500+ 34.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
BS170F BS170F DIODES INC. DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.93 грн
500+ 38.31 грн
1500+ 34.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170FTA BS170FTA DIODES INCORPORATED BS170F.PDF description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.4 грн
14+ 26.89 грн
79+ 10.69 грн
216+ 10.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
BS170FTA BS170FTA DIODES INCORPORATED BS170F.PDF description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.48 грн
10+ 33.51 грн
79+ 12.82 грн
216+ 12.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Incorporated BS170F.PDF description Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.77 грн
6000+ 15.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Incorporated BS170F.PDF description Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 227312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.61 грн
10+ 36.78 грн
100+ 25.29 грн
500+ 18.84 грн
1000+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Incorporated BS170F-3214071.pdf description MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 20139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.45 грн
10+ 40.61 грн
100+ 24.35 грн
500+ 19.33 грн
1000+ 17.65 грн
3000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D26Z
Код товару: 143717
FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 560 шт
438 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
42 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+7.5 грн
10+ 6.8 грн
100+ 6.2 грн
1000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
BS170 BS170,MMBF170.PDF
BS170
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+21.14 грн
25+ 14.54 грн
33+ 11.05 грн
100+ 8 грн
139+ 6.03 грн
382+ 5.74 грн
1000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 19
BS170 BS170,MMBF170.PDF
BS170
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.36 грн
15+ 18.12 грн
30+ 13.26 грн
100+ 9.59 грн
139+ 7.24 грн
382+ 6.89 грн
1000+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 24515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.14 грн
22+ 13.81 грн
100+ 9.28 грн
500+ 6.72 грн
1000+ 6.06 грн
2000+ 5.49 грн
5000+ 4.78 грн
10000+ 4.4 грн
Мінімальне замовлення: 15
BS170 mmbf170-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1555+7.87 грн
2500+ 7.22 грн
5000+ 7.11 грн
7500+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 1555
BS170 mmbf170-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1534+7.97 грн
1749+ 7 грн
2500+ 6.59 грн
10000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 1534
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+27.2 грн
36+ 17 грн
100+ 7.4 грн
1000+ 6.26 грн
2500+ 5.46 грн
10000+ 4.8 грн
Мінімальне замовлення: 23
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+21.93 грн
92+ 6.66 грн
100+ 6.59 грн
1000+ 6.07 грн
2500+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 28
BS170 MMBF170_D-3179750.pdf
BS170
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 54731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+22.71 грн
22+ 15.25 грн
100+ 6.35 грн
1000+ 5.58 грн
2500+ 5.02 грн
10000+ 4.81 грн
50000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
BS170 2304244.pdf
BS170
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+29.04 грн
39+ 20.35 грн
100+ 9.16 грн
500+ 7.13 грн
1000+ 5.31 грн
5000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 27
BS170 mmbf170-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1688+7.25 грн
1703+ 7.18 грн
1786+ 6.85 грн
2500+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 1688
BS170 mmbf170-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170 mmbf170-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170"D27Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170"D27Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+25.05 грн
20+ 18.61 грн
50+ 13.01 грн
100+ 8.43 грн
274+ 8 грн
500+ 7.85 грн
1000+ 7.63 грн
Мінімальне замовлення: 16
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.06 грн
12+ 23.19 грн
50+ 15.61 грн
100+ 10.12 грн
274+ 9.59 грн
500+ 9.42 грн
1000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 128646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3143+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3143
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+9.25 грн
4000+ 8.77 грн
6000+ 8.48 грн
8000+ 8 грн
26000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z MMBF170_D-3179750.pdf
BS170-D26Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 45825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.74 грн
17+ 18.94 грн
100+ 8.65 грн
1000+ 7.89 грн
2000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+28.77 грн
33+ 18.42 грн
100+ 9.71 грн
250+ 8.59 грн
500+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 22
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 77126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.42 грн
17+ 17.15 грн
100+ 11.58 грн
500+ 8.43 грн
1000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+7.67 грн
4000+ 6.76 грн
6000+ 6.43 грн
10000+ 5.7 грн
14000+ 5.49 грн
20000+ 5.29 грн
50000+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+25.99 грн
50+ 18.87 грн
100+ 11.74 грн
500+ 9.74 грн
1000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 31
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170-D27Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.96 грн
19+ 19.92 грн
22+ 17.08 грн
50+ 11.85 грн
100+ 10.32 грн
135+ 6.21 грн
371+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
BS170-D27Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.76 грн
11+ 24.82 грн
13+ 20.5 грн
50+ 14.22 грн
100+ 12.39 грн
135+ 7.46 грн
371+ 7.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
BS170-D27Z MMBF170_D-3179750.pdf
BS170-D27Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.45 грн
21+ 15.73 грн
100+ 7.12 грн
1000+ 6.42 грн
2000+ 4.88 грн
10000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
BS170-D27Z 694801.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+24.11 грн
50+ 17.3 грн
100+ 10.49 грн
500+ 8.5 грн
1000+ 6.71 грн
Мінімальне замовлення: 33
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+23.04 грн
40+ 15.45 грн
100+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 27
BS170-D27Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D27Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.19 грн
17+ 17.95 грн
100+ 11.35 грн
500+ 7.96 грн
1000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
BS170-D74Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D74Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.17 грн
17+ 17.74 грн
100+ 11.94 грн
500+ 8.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D74Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D74Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+7.9 грн
4000+ 6.96 грн
6000+ 6.63 грн
10000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D74Z mmbf170-d.pdf
BS170-D74Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+25.05 грн
21+ 17.95 грн
50+ 12.58 грн
100+ 10.69 грн
101+ 8.29 грн
278+ 7.85 грн
500+ 7.7 грн
1000+ 7.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.06 грн
13+ 22.37 грн
50+ 15.09 грн
100+ 12.82 грн
101+ 9.94 грн
278+ 9.42 грн
500+ 9.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
BS170-D75Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D75Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D75Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.99 грн
14+ 22.1 грн
100+ 14.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+28.35 грн
31+ 19.64 грн
100+ 11.97 грн
250+ 10.97 грн
500+ 10.42 грн
1000+ 6.17 грн
3000+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 22
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+9.6 грн
4000+ 9.46 грн
6000+ 9.32 грн
8000+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D75Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+9.08 грн
4000+ 8.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D75Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D75Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D75Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+24.27 грн
50+ 18.08 грн
100+ 11.82 грн
500+ 9.3 грн
1000+ 6.98 грн
Мінімальне замовлення: 33
BS170-D75Z MMBF170_D-3179750.pdf
BS170-D75Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 27042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.55 грн
14+ 24.64 грн
100+ 11.1 грн
1000+ 9.35 грн
2000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170F DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.37 грн
50+ 75.23 грн
100+ 57.93 грн
500+ 38.31 грн
1500+ 34.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
BS170F DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.93 грн
500+ 38.31 грн
1500+ 34.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+45.4 грн
14+ 26.89 грн
79+ 10.69 грн
216+ 10.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.48 грн
10+ 33.51 грн
79+ 12.82 грн
216+ 12.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.77 грн
6000+ 15.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 227312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.61 грн
10+ 36.78 грн
100+ 25.29 грн
500+ 18.84 грн
1000+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description BS170F-3214071.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 20139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.45 грн
10+ 40.61 грн
100+ 24.35 грн
500+ 19.33 грн
1000+ 17.65 грн
3000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]