Результат пошуку "BD139" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BD139 BD139
Код товару: 191983 		CJ bd139.pdf bd135-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Монтаж: THT
у наявності: 2322 шт
2213 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
51 шт - РАДІОМАГ-Львів
46 шт - РАДІОМАГ-Харків
3+7 грн
10+ 6.3 грн
100+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
BD139 (КТ815Г) BD139 (КТ815Г)
Код товару: 4745 		ST cd00001225.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+20 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.5 грн
1000+ 5.8 грн
BD139-10 (SOT-32, STM) BD139-10 (SOT-32, STM)
Код товару: 161642 		ST/CDIL Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Монтаж: THT
у наявності: 197 шт
130 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+9 грн
10+ 8.1 грн
100+ 7.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
BD139-16 BD139-16
Код товару: 182302 		CDIL bd139.pdf description Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
у наявності: 443 шт
381 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4+6 грн
10+ 5 грн
100+ 4.3 грн
1000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
BD139 BD139 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 9791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+25.76 грн
19+ 20.11 грн
50+ 16.3 грн
96+ 9.12 грн
262+ 8.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
BD139 BD139 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.91 грн
12+ 25.06 грн
50+ 19.55 грн
96+ 10.94 грн
262+ 10.34 грн
10000+ 10.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 138515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 962
BD139 BD139 STMicroelectronics bd135-1848980.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.14 грн
14+ 23.6 грн
100+ 15.57 грн
500+ 12.27 грн
1000+ 10.12 грн
2000+ 8.97 грн
10000+ 8.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 138564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.18 грн
27+ 22.94 грн
100+ 15.78 грн
500+ 12.24 грн
1000+ 8.17 грн
2500+ 7.76 грн
10000+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
BD139 BD139 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.34 грн
30+ 27.45 грн
100+ 18.19 грн
500+ 13.23 грн
1000+ 8.28 грн
5000+ 8.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
BD139 BD139 STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.93 грн
50+ 17.04 грн
100+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD139 BD139 MULTICOMP PRO 4161949.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.29 грн
30+ 27.45 грн
100+ 19.64 грн
500+ 12.78 грн
1000+ 8.42 грн
5000+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 24
BD139 ST bd139.pdf bd135-d.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
BD139 ST bd139.pdf bd135-d.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139 JSMicro Semiconductor bd139.pdf bd135-d.pdf Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139 ST bd139.pdf bd135-d.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139 CDIL bd139.pdf bd135-d.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 150
BD139 ST bd139.pdf bd135-d.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.56 грн
19+ 20.18 грн
50+ 14.95 грн
89+ 9.79 грн
244+ 9.26 грн
1000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
17+36.71 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.88 грн
12+ 25.15 грн
50+ 17.94 грн
89+ 11.75 грн
244+ 11.11 грн
1000+ 10.85 грн
10000+ 10.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD139-10 BD139-10 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.34 грн
31+ 26.4 грн
100+ 18.84 грн
500+ 13.68 грн
1000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 23
BD139-10 BD139-10 MULTICOMP PRO 2861636.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.65 грн
30+ 26.89 грн
100+ 19.24 грн
500+ 12.48 грн
1000+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 23686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.11 грн
27+ 22.59 грн
100+ 15.45 грн
500+ 12.5 грн
1000+ 9.34 грн
2000+ 7.61 грн
10000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 22
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics bd135-1848980.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 8761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.73 грн
13+ 25.75 грн
100+ 16.72 грн
500+ 13.06 грн
1000+ 10.69 грн
2000+ 9.04 грн
10000+ 8.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 23632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
835+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 835
BD139-10 ST bd139.pdf Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-10STU STMicroelectronics Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
51+12.36 грн
55+ 11.53 грн
100+ 10.7 грн
Мінімальне замовлення: 51
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 17826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33 грн
17+ 22.05 грн
50+ 16.3 грн
100+ 14.35 грн
111+ 7.83 грн
305+ 7.4 грн
10000+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
BD139-16 STM bd139.pdf description Транз. Бипол. ММ NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfemin=25
на замовлення 39 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
25+11.59 грн
28+ 9.69 грн
100+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
102+6.18 грн
109+ 5.76 грн
117+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 102
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.61 грн
11+ 27.48 грн
50+ 19.55 грн
100+ 17.22 грн
111+ 9.4 грн
305+ 8.88 грн
10000+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics bd135-1848980.pdf description Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 6578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.93 грн
14+ 24.67 грн
100+ 13.2 грн
1000+ 9.97 грн
2000+ 8.32 грн
10000+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics cd0000122.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 128653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.29 грн
26+ 23.32 грн
100+ 12.94 грн
1000+ 9.26 грн
2000+ 7.15 грн
10000+ 5.75 грн
24000+ 5.7 грн
50000+ 5.64 грн
100000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 18
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics cd0000122.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 128626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 452
BD139-16 BD139-16 MULTICOMP PRO 4161949.pdf description Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.02 грн
29+ 28.01 грн
100+ 20.04 грн
500+ 13.01 грн
1000+ 8.56 грн
5000+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 23
BD139-16 BD139-16 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.07 грн
27+ 30.11 грн
100+ 16.02 грн
500+ 12.26 грн
1000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 19
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.38 грн
50+ 16.46 грн
100+ 14.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD139-16 ST bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-16 ST bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-16 LGE bd139.pdf description Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.4 грн
Мінімальне замовлення: 200
BD139.16 CDIL NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 BD139-16 CDiL TBD13916cd
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
BD13910S ONSEMI FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BD13910S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BD13910S BD13910S Fairchild Semiconductor FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1219+17.3 грн
Мінімальне замовлення: 1219
BD13910S BD13910S onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.89 грн
10+ 36.1 грн
100+ 24.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD13910STU BD13910STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.47 грн
11+ 35.81 грн
38+ 23.1 грн
104+ 21.9 грн
540+ 21 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD13910STU BD13910STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.16 грн
10+ 44.62 грн
38+ 27.72 грн
104+ 26.28 грн
540+ 25.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD13910STU BD13910STU onsemi / Fairchild BD139_D-2310463.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.16 грн
10+ 45.39 грн
100+ 27.41 грн
500+ 22.17 грн
1000+ 19.16 грн
1920+ 16.86 грн
5760+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+21.3 грн
Мінімальне замовлення: 1920
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+46.43 грн
378+ 32.28 грн
500+ 26.06 грн
1000+ 21.44 грн
1920+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 263
BD13910STU BD13910STU ONSEMI ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.83 грн
18+ 45.64 грн
100+ 29.95 грн
500+ 23.17 грн
1000+ 16.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+27.6 грн
500+ 26.41 грн
2000+ 24.99 грн
Мінімальне замовлення: 442
BD13910STU BD13910STU onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.44 грн
60+ 27.45 грн
120+ 24.66 грн
540+ 18.68 грн
1020+ 17.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+24.13 грн
27+ 23.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+49.13 грн
14+ 43.11 грн
100+ 29.97 грн
500+ 23.34 грн
1000+ 18.43 грн
1920+ 15.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1920
BD13916S BD13916S ONSEMI 1747515.pdf Description: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BD13916STU BD13916STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.66 грн
11+ 34.61 грн
43+ 20.41 грн
117+ 19.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD13916STU BD13916STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.2 грн
10+ 43.13 грн
43+ 24.49 грн
117+ 23.14 грн
1020+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD13916STU BD13916STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+27.6 грн
500+ 26.41 грн
2000+ 24.99 грн
3900+ 23.47 грн
5800+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 442
BD139
Код товару: 191983		 bd139.pdf bd135-d.pdf
BD139
Виробник: CJ
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Монтаж: THT
у наявності: 2322 шт
2213 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
51 шт - РАДІОМАГ-Львів
46 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна без ПДВ
3+7 грн
10+ 6.3 грн
100+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
BD139 (КТ815Г)
Код товару: 4745		 cd00001225.pdf
BD139 (КТ815Г)
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна без ПДВ
1+20 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.5 грн
1000+ 5.8 грн
BD139-10 (SOT-32, STM)
Код товару: 161642
BD139-10 (SOT-32, STM)
Виробник: ST/CDIL
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Монтаж: THT
у наявності: 197 шт
130 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
3+9 грн
10+ 8.1 грн
100+ 7.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
BD139-16
Код товару: 182302		 description bd139.pdf
BD139-16
Виробник: CDIL
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
у наявності: 443 шт
381 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
4+6 грн
10+ 5 грн
100+ 4.3 грн
1000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
BD139 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 9791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+25.76 грн
19+ 20.11 грн
50+ 16.3 грн
96+ 9.12 грн
262+ 8.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
BD139 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.91 грн
12+ 25.06 грн
50+ 19.55 грн
96+ 10.94 грн
262+ 10.34 грн
10000+ 10.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 138515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
962+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 962
BD139 bd135-1848980.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.14 грн
14+ 23.6 грн
100+ 15.57 грн
500+ 12.27 грн
1000+ 10.12 грн
2000+ 8.97 грн
10000+ 8.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 138564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.18 грн
27+ 22.94 грн
100+ 15.78 грн
500+ 12.24 грн
1000+ 8.17 грн
2500+ 7.76 грн
10000+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
BD139 2307016.pdf
BD139
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+35.34 грн
30+ 27.45 грн
100+ 18.19 грн
500+ 13.23 грн
1000+ 8.28 грн
5000+ 8.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
BD139 bd139.pdf
BD139
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.93 грн
50+ 17.04 грн
100+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD139 4161949.pdf
BD139
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+34.29 грн
30+ 27.45 грн
100+ 19.64 грн
500+ 12.78 грн
1000+ 8.42 грн
5000+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 24
BD139 bd139.pdf bd135-d.pdf
Виробник: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
BD139 bd139.pdf bd135-d.pdf
Виробник: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139 bd139.pdf bd135-d.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139 bd139.pdf bd135-d.pdf
Виробник: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139 bd139.pdf bd135-d.pdf
Виробник: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 150
BD139 bd139.pdf bd135-d.pdf
Виробник: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-10 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+26.56 грн
19+ 20.18 грн
50+ 14.95 грн
89+ 9.79 грн
244+ 9.26 грн
1000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
BD139-10 bd139.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+36.71 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
BD139-10 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.88 грн
12+ 25.15 грн
50+ 17.94 грн
89+ 11.75 грн
244+ 11.11 грн
1000+ 10.85 грн
10000+ 10.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD139-10 2307016.pdf
BD139-10
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+35.34 грн
31+ 26.4 грн
100+ 18.84 грн
500+ 13.68 грн
1000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 23
BD139-10 2861636.pdf
BD139-10
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+33.65 грн
30+ 26.89 грн
100+ 19.24 грн
500+ 12.48 грн
1000+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 23686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+28.11 грн
27+ 22.59 грн
100+ 15.45 грн
500+ 12.5 грн
1000+ 9.34 грн
2000+ 7.61 грн
10000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 22
BD139-10 bd135-1848980.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 8761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+32.73 грн
13+ 25.75 грн
100+ 16.72 грн
500+ 13.06 грн
1000+ 10.69 грн
2000+ 9.04 грн
10000+ 8.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 23632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
835+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 835
BD139-10 bd139.pdf
Виробник: ST
Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-10STU
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+12.36 грн
55+ 11.53 грн
100+ 10.7 грн
Мінімальне замовлення: 51
BD139-16 description BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 17826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+33 грн
17+ 22.05 грн
50+ 16.3 грн
100+ 14.35 грн
111+ 7.83 грн
305+ 7.4 грн
10000+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: STM
Транз. Бипол. ММ NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfemin=25
на замовлення 39 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.59 грн
28+ 9.69 грн
100+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
102+6.18 грн
109+ 5.76 грн
117+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 102
BD139-16 description BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.61 грн
11+ 27.48 грн
50+ 19.55 грн
100+ 17.22 грн
111+ 9.4 грн
305+ 8.88 грн
10000+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
BD139-16 description bd135-1848980.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 6578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.93 грн
14+ 24.67 грн
100+ 13.2 грн
1000+ 9.97 грн
2000+ 8.32 грн
10000+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD139-16 description cd0000122.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 128653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.29 грн
26+ 23.32 грн
100+ 12.94 грн
1000+ 9.26 грн
2000+ 7.15 грн
10000+ 5.75 грн
24000+ 5.7 грн
50000+ 5.64 грн
100000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 18
BD139-16 description cd0000122.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 128626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
452+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 452
BD139-16 description 4161949.pdf
BD139-16
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+35.02 грн
29+ 28.01 грн
100+ 20.04 грн
500+ 13.01 грн
1000+ 8.56 грн
5000+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 23
BD139-16 description 2307016.pdf
BD139-16
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+43.07 грн
27+ 30.11 грн
100+ 16.02 грн
500+ 12.26 грн
1000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 19
BD139-16 description bd139.pdf
BD139-16
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.38 грн
50+ 16.46 грн
100+ 14.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.4 грн
Мінімальне замовлення: 200
BD139.16
Виробник: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 BD139-16 CDiL TBD13916cd
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
BD13910S FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13910S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BD13910S FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BD13910S
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1219+17.3 грн
Мінімальне замовлення: 1219
BD13910S BD135%2C137%2C139.pdf
BD13910S
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.89 грн
10+ 36.1 грн
100+ 24.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD13910STU BD135_137_139.PDF
BD13910STU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+43.47 грн
11+ 35.81 грн
38+ 23.1 грн
104+ 21.9 грн
540+ 21 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD13910STU BD135_137_139.PDF
BD13910STU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.16 грн
10+ 44.62 грн
38+ 27.72 грн
104+ 26.28 грн
540+ 25.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD13910STU BD139_D-2310463.pdf
BD13910STU
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+52.16 грн
10+ 45.39 грн
100+ 27.41 грн
500+ 22.17 грн
1000+ 19.16 грн
1920+ 16.86 грн
5760+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1920+21.3 грн
Мінімальне замовлення: 1920
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
263+46.43 грн
378+ 32.28 грн
500+ 26.06 грн
1000+ 21.44 грн
1920+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 263
BD13910STU ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD13910STU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+56.83 грн
18+ 45.64 грн
100+ 29.95 грн
500+ 23.17 грн
1000+ 16.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
442+27.6 грн
500+ 26.41 грн
2000+ 24.99 грн
Мінімальне замовлення: 442
BD13910STU BD135%2C137%2C139.pdf
BD13910STU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.44 грн
60+ 27.45 грн
120+ 24.66 грн
540+ 18.68 грн
1020+ 17.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+24.13 грн
27+ 23.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+49.13 грн
14+ 43.11 грн
100+ 29.97 грн
500+ 23.34 грн
1000+ 18.43 грн
1920+ 15.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
BD13910STU bd139-d.pdf
BD13910STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1920+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1920
BD13916S 1747515.pdf
BD13916S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BD13916STU BD135_137_139.PDF
BD13916STU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+42.66 грн
11+ 34.61 грн
43+ 20.41 грн
117+ 19.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD13916STU BD135_137_139.PDF
BD13916STU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.2 грн
10+ 43.13 грн
43+ 24.49 грн
117+ 23.14 грн
1020+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD13916STU bd139-d.pdf
BD13916STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
442+27.6 грн
500+ 26.41 грн
2000+ 24.99 грн
3900+ 23.47 грн
5800+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 442
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]