![BD13916STU BD13916STU](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/9/4/13/36/12/771/ons_/manual/ksb1149os.jpg)
BD13916STU ON Semiconductor
на замовлення 12735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13916STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BD13916STU за ціною від 13.83 грн до 55.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD13916STU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO126ISO Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BD13916STU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO126ISO Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BD13916STU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BD13916STU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 10771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BD13916STU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BD13916STU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 11163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BD13916STU | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BD13916STU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BD13916STU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |