Результат пошуку "50n03" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
50N03-07 00+
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
50N03LT PHILIPS
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
50M030050N030 50M030050N030 Essentra Components 5020.PDF Description: PAN SLOTTED SCREW, M3 X .5 THREA
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: M3x0.5
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.252" (31.80mm)
Length - Below Head: 1.181" (30.00mm)
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.220" (5.60mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Active
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7 грн
58+ 5.25 грн
67+ 4.5 грн
80+ 3.54 грн
85+ 3.32 грн
100+ 3.18 грн
250+ 2.78 грн
500+ 2.64 грн
1000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 45
50M030050N035 50M030050N035 Essentra Components skuAsset?mediaId=168388 Description: PAN SLOTTED SCREW, M3 X .5 THREA
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: M3x0.5
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.449" (36.80mm)
Length - Below Head: 1.378" (35.00mm)
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.220" (5.60mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Active
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.89 грн
36+ 8.54 грн
38+ 7.94 грн
43+ 6.69 грн
50+ 6.22 грн
100+ 5.79 грн
250+ 5.2 грн
500+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 29
50M100150N030 50M100150N030 Essentra Components skuAsset?mediaId=168522 Description: PAN SLOTTED SCREW, M10 X 1.5 THR
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: M10x1.5
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.417" (36.00mm)
Length - Below Head: 1.181" (30.00mm)
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.787" (20.00mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.13 грн
9+ 36.42 грн
10+ 32.74 грн
25+ 27.31 грн
50+ 24.6 грн
100+ 24.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
50M100150N035 50M100150N035 Essentra Components 5020.PDF Description: PAN SLOTTED SCREW, M10 X 1.5 THR
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: M10x1.5
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.614" (41.00mm)
Length - Below Head: 1.378" (35.00mm)
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.787" (20.00mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.23 грн
14+ 22.48 грн
16+ 18.73 грн
25+ 16.51 грн
50+ 15.81 грн
100+ 14.05 грн
250+ 13.13 грн
500+ 12.44 грн
1000+ 12.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSC050N03LS G BSC050N03LS G Infineon Technologies Infineon_BSC050N03LS_DS_v02_01_en-1226245.pdf MOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 21213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.58 грн
10+ 50.46 грн
100+ 30 грн
500+ 25.03 грн
1000+ 21.29 грн
2500+ 20.14 грн
5000+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC050N03LS_DS_v02_01_en-1226245.pdf MOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.58 грн
10+ 49.63 грн
100+ 30 грн
500+ 24.17 грн
1000+ 18.99 грн
2500+ 18.92 грн
5000+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b Description: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.59 грн
10+ 47.21 грн
100+ 31.01 грн
500+ 22.57 грн
1000+ 20.46 грн
2000+ 18.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC050N03LSGXT BSC050N03LSGXT Infineon Technologies Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en-770891.pdf MOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.58 грн
10+ 50.46 грн
100+ 30 грн
500+ 25.03 грн
1000+ 21.29 грн
2500+ 20.14 грн
5000+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC150N03LD G BSC150N03LD G Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1_4-1730932.pdf MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.65 грн
10+ 55.18 грн
100+ 37.33 грн
500+ 31.65 грн
1000+ 25.75 грн
5000+ 22.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 49576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.49 грн
10+ 58.52 грн
100+ 38.81 грн
500+ 28.5 грн
1000+ 25.94 грн
2000+ 23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1_4-1730932.pdf MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.72 грн
10+ 42.35 грн
100+ 29.71 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 23.45 грн
2500+ 23.38 грн
5000+ 22.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSF050N03LQ3G Infineon Technologies INFNS16729-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 770
BSO150N03MD G BSO150N03MD G Infineon Technologies BSO150N03MD_rev1_1-1225816.pdf MOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 5337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.28 грн
10+ 70.23 грн
100+ 47.55 грн
500+ 40.28 грн
1000+ 32.87 грн
2500+ 30.86 грн
5000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO150N03MD_rev1_1-1225816.pdf MOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 9647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.94 грн
10+ 60.88 грн
100+ 42.44 грн
500+ 36.83 грн
1000+ 31.29 грн
2500+ 30.86 грн
5000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO150N03MD_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d8d11687e4c Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.45 грн
5000+ 29.04 грн
7500+ 28.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO150N03MD_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d8d11687e4c Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 24011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.28 грн
10+ 72.23 грн
100+ 48.36 грн
500+ 35.78 грн
1000+ 32.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO350N03 BSO350N03 Infineon Technologies BSO350N03.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 742
BSZ050N03LS G BSZ050N03LS G Infineon Technologies Infineon_BSZ050N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360770.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.23 грн
10+ 48.89 грн
100+ 29.06 грн
500+ 24.31 грн
1000+ 20.64 грн
2500+ 18.7 грн
5000+ 17.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ050N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3f6944e03ee Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ050N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3f6944e03ee Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.26 грн
10+ 46.08 грн
100+ 27.51 грн
500+ 22.01 грн
1000+ 19.12 грн
2000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ050N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360770.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.7 грн
100+ 22.66 грн
500+ 19.85 грн
1000+ 17.84 грн
2500+ 17.34 грн
5000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSZ050N03MS G BSZ050N03MS G Infineon Technologies Infineon_BSZ050N03MS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360715.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.43 грн
11+ 31.77 грн
100+ 19.13 грн
500+ 15.97 грн
1000+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSZ050N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113ddea0e8802e4 Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 9606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.37 грн
10+ 43.98 грн
100+ 28.8 грн
500+ 20.9 грн
1000+ 18.92 грн
2000+ 17.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
DHD50N03 WXDH Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7.5mOhm; 50A; 60W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR8729, IRLR8729TR, IRLR8729TRL DHD50N03 DONGHAI TDHD50n03
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 150
DIT150N03 DIT150N03 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit150n03.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.91 грн
8+ 49.68 грн
10+ 44.13 грн
23+ 38.21 грн
64+ 36.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
DIT150N03 DIT150N03 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit150n03.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.91 грн
10+ 52.96 грн
23+ 45.86 грн
64+ 43.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
DIT150N03 DIT150N03 Diotec Semiconductor dit150n03.pdf Description: MOSFET TO220AB N 30V 0.0023OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.93 грн
50+ 67.86 грн
100+ 53.78 грн
500+ 42.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
DIT150N03 DIT150N03 Diotec Semiconductor dit150n03.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 30V, 150A, 175C, N
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.13 грн
10+ 124.08 грн
100+ 50.57 грн
500+ 50.21 грн
1000+ 39.71 грн
2500+ 36.76 грн
5000+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
G050N03S G050N03S Goford Semiconductor G050N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G050N03S G050N03S Goford Semiconductor G050N03S.pdf Description: N30V, 18A,RD<5M@10V,VTH1.1V~2.4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G250N03IE G250N03IE Goford Semiconductor G250N03IE.pdf Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.57 грн
23+ 13.26 грн
100+ 8.32 грн
500+ 5.78 грн
1000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
G50N03D5 G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G50N03D5 G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5.pdf Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.25 грн
10+ 41.74 грн
100+ 27.26 грн
500+ 19.71 грн
1000+ 17.82 грн
2000+ 16.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
G50N03J G50N03J Goford Semiconductor G50N03J.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.25 грн
75+ 28.38 грн
150+ 25.2 грн
525+ 19.38 грн
1050+ 17.52 грн
2025+ 16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
G50N03J G50N03J Goford Semiconductor G50N03J.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.03 грн
10+ 37.91 грн
100+ 24.61 грн
500+ 17.73 грн
1000+ 16 грн
Мінімальне замовлення: 5
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.9 грн
15000+ 9.69 грн
30000+ 8.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD050N03L G IPD050N03L G Infineon Technologies Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN-3362524.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.6 грн
10+ 69.24 грн
100+ 46.83 грн
500+ 39.71 грн
1000+ 32.37 грн
2500+ 30.36 грн
5000+ 28.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.52 грн
9+ 42.71 грн
25+ 37.69 грн
27+ 32.74 грн
74+ 31.02 грн
500+ 30.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+72.62 грн
6+ 53.22 грн
25+ 45.23 грн
27+ 39.29 грн
74+ 37.23 грн
500+ 36.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 13430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.7 грн
10+ 49.98 грн
100+ 33.47 грн
500+ 26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN-3362524.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.59 грн
10+ 49.96 грн
100+ 32.51 грн
500+ 28.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N03S2-07 IPD50N03S2-07 Infineon Technologies Infineon_IPD50N03S2_07_DS_v01_00_en-3360291.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.72 грн
10+ 103.4 грн
100+ 69.56 грн
250+ 66.25 грн
500+ 55.46 грн
1000+ 51 грн
2500+ 47.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S207ATMA1 Infineon Technologies IPD50N03S2-07_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270d5a3b72 Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.63 грн
10+ 101.01 грн
100+ 68.98 грн
500+ 51.84 грн
1000+ 47.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD50N03S2L-06 IPD50N03S2L-06 Infineon Technologies Infineon_IPD50N03S2L_06_DS_v01_00_en-1227022.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.48 грн
10+ 74.53 грн
100+ 51.14 грн
250+ 51.07 грн
500+ 48.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N03S2L_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270cfc3b6e&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.74 грн
10+ 102.73 грн
100+ 70.19 грн
500+ 52.78 грн
1000+ 48.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD50N03S4L-06 IPD50N03S4L-06 Infineon Technologies Infineon_IPD50N03S4L_06_DS_v01_01_en-3360018.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.92 грн
10+ 60.8 грн
100+ 43.3 грн
500+ 36.25 грн
1000+ 31.72 грн
2500+ 29.56 грн
5000+ 28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 Infineon Technologies INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.16 грн
10+ 70.43 грн
100+ 47.15 грн
500+ 34.84 грн
1000+ 31.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 Infineon Technologies INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.62 грн
5000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPP050N03LF2SAKSA1 IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP050N03LF2S_DataSheet_v02_00_EN-3476269.pdf MOSFETs N
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.89 грн
10+ 59.64 грн
100+ 35.39 грн
500+ 29.56 грн
1000+ 25.18 грн
2500+ 22.8 грн
5000+ 21.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPS050N03LG IPS050N03LG Infineon Technologies INFNS27908-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
MCAC150N03A-TP MCAC150N03A-TP Micro Commercial Co Description: MOSFET N-CH 30 150A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4498 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
MCAC150N03A-TP MCAC150N03A-TP Micro Commercial Co Description: MOSFET N-CH 30 150A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4498 pF @ 15 V
на замовлення 6914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.82 грн
10+ 59.87 грн
100+ 39.74 грн
500+ 29.17 грн
1000+ 26.01 грн
2000+ 24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
MCAC50N03-TP MCAC50N03-TP Micro Commercial Co MCAC50N03(DFN5060).pdf Description: MOSFET N-CH 30 50A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 15 V
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.7 грн
10+ 40.76 грн
100+ 26.58 грн
500+ 19.2 грн
1000+ 16.26 грн
2000+ 15.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
MCG50N03-TP MCG50N03-TP Micro Commercial Co MCG50N03(DFN3333).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A DFN3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.14 грн
10+ 39.86 грн
100+ 25.94 грн
500+ 18.73 грн
1000+ 15.76 грн
2000+ 15.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
50N03-07
00+
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
50N03LT
Виробник: PHILIPS
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
50M030050N030 5020.PDF
50M030050N030
Виробник: Essentra Components
Description: PAN SLOTTED SCREW, M3 X .5 THREA
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: M3x0.5
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.252" (31.80mm)
Length - Below Head: 1.181" (30.00mm)
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.220" (5.60mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Active
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+7 грн
58+ 5.25 грн
67+ 4.5 грн
80+ 3.54 грн
85+ 3.32 грн
100+ 3.18 грн
250+ 2.78 грн
500+ 2.64 грн
1000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 45
50M030050N035 skuAsset?mediaId=168388
50M030050N035
Виробник: Essentra Components
Description: PAN SLOTTED SCREW, M3 X .5 THREA
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: M3x0.5
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.449" (36.80mm)
Length - Below Head: 1.378" (35.00mm)
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.220" (5.60mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Active
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+10.89 грн
36+ 8.54 грн
38+ 7.94 грн
43+ 6.69 грн
50+ 6.22 грн
100+ 5.79 грн
250+ 5.2 грн
500+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 29
50M100150N030 skuAsset?mediaId=168522
50M100150N030
Виробник: Essentra Components
Description: PAN SLOTTED SCREW, M10 X 1.5 THR
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: M10x1.5
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.417" (36.00mm)
Length - Below Head: 1.181" (30.00mm)
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.787" (20.00mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.13 грн
9+ 36.42 грн
10+ 32.74 грн
25+ 27.31 грн
50+ 24.6 грн
100+ 24.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
50M100150N035 5020.PDF
50M100150N035
Виробник: Essentra Components
Description: PAN SLOTTED SCREW, M10 X 1.5 THR
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: M10x1.5
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.614" (41.00mm)
Length - Below Head: 1.378" (35.00mm)
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.787" (20.00mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.23 грн
14+ 22.48 грн
16+ 18.73 грн
25+ 16.51 грн
50+ 15.81 грн
100+ 14.05 грн
250+ 13.13 грн
500+ 12.44 грн
1000+ 12.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSC050N03LS G Infineon_BSC050N03LS_DS_v02_01_en-1226245.pdf
BSC050N03LS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 21213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.58 грн
10+ 50.46 грн
100+ 30 грн
500+ 25.03 грн
1000+ 21.29 грн
2500+ 20.14 грн
5000+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC050N03LSGATMA1 Infineon_BSC050N03LS_DS_v02_01_en-1226245.pdf
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.58 грн
10+ 49.63 грн
100+ 30 грн
500+ 24.17 грн
1000+ 18.99 грн
2500+ 18.92 грн
5000+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC050N03LSGATMA1 Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.59 грн
10+ 47.21 грн
100+ 31.01 грн
500+ 22.57 грн
1000+ 20.46 грн
2000+ 18.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC050N03LSGXT Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en-770891.pdf
BSC050N03LSGXT
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.58 грн
10+ 50.46 грн
100+ 30 грн
500+ 25.03 грн
1000+ 21.29 грн
2500+ 20.14 грн
5000+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC150N03LD G BSC150N03LD_rev1_4-1730932.pdf
BSC150N03LD G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.65 грн
10+ 55.18 грн
100+ 37.33 грн
500+ 31.65 грн
1000+ 25.75 грн
5000+ 22.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 49576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.49 грн
10+ 58.52 грн
100+ 38.81 грн
500+ 28.5 грн
1000+ 25.94 грн
2000+ 23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD_rev1_4-1730932.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.72 грн
10+ 42.35 грн
100+ 29.71 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 23.45 грн
2500+ 23.38 грн
5000+ 22.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSF050N03LQ3G INFNS16729-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
770+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 770
BSO150N03MD G BSO150N03MD_rev1_1-1225816.pdf
BSO150N03MD G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 5337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.28 грн
10+ 70.23 грн
100+ 47.55 грн
500+ 40.28 грн
1000+ 32.87 грн
2500+ 30.86 грн
5000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MD_rev1_1-1225816.pdf
BSO150N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 9647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.94 грн
10+ 60.88 грн
100+ 42.44 грн
500+ 36.83 грн
1000+ 31.29 грн
2500+ 30.86 грн
5000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MD_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d8d11687e4c
BSO150N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.45 грн
5000+ 29.04 грн
7500+ 28.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MD_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d8d11687e4c
BSO150N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 24011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.28 грн
10+ 72.23 грн
100+ 48.36 грн
500+ 35.78 грн
1000+ 32.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO350N03 BSO350N03.pdf
BSO350N03
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
742+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 742
BSZ050N03LS G Infineon_BSZ050N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360770.pdf
BSZ050N03LS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.23 грн
10+ 48.89 грн
100+ 29.06 грн
500+ 24.31 грн
1000+ 20.64 грн
2500+ 18.7 грн
5000+ 17.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3f6944e03ee
BSZ050N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3f6944e03ee
BSZ050N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.26 грн
10+ 46.08 грн
100+ 27.51 грн
500+ 22.01 грн
1000+ 19.12 грн
2000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ050N03LSGATMA1 Infineon_BSZ050N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360770.pdf
BSZ050N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.7 грн
100+ 22.66 грн
500+ 19.85 грн
1000+ 17.84 грн
2500+ 17.34 грн
5000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSZ050N03MS G Infineon_BSZ050N03MS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360715.pdf
BSZ050N03MS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.43 грн
11+ 31.77 грн
100+ 19.13 грн
500+ 15.97 грн
1000+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113ddea0e8802e4
BSZ050N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 9606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.37 грн
10+ 43.98 грн
100+ 28.8 грн
500+ 20.9 грн
1000+ 18.92 грн
2000+ 17.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
DHD50N03
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7.5mOhm; 50A; 60W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR8729, IRLR8729TR, IRLR8729TRL DHD50N03 DONGHAI TDHD50n03
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 150
DIT150N03 dit150n03.pdf
DIT150N03
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.91 грн
8+ 49.68 грн
10+ 44.13 грн
23+ 38.21 грн
64+ 36.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
DIT150N03 dit150n03.pdf
DIT150N03
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.91 грн
10+ 52.96 грн
23+ 45.86 грн
64+ 43.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
DIT150N03 dit150n03.pdf
DIT150N03
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 30V 0.0023OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.93 грн
50+ 67.86 грн
100+ 53.78 грн
500+ 42.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
DIT150N03 dit150n03.pdf
DIT150N03
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 30V, 150A, 175C, N
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+161.13 грн
10+ 124.08 грн
100+ 50.57 грн
500+ 50.21 грн
1000+ 39.71 грн
2500+ 36.76 грн
5000+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
G050N03S G050N03S.pdf
G050N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G050N03S G050N03S.pdf
G050N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 18A,RD<5M@10V,VTH1.1V~2.4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G250N03IE G250N03IE.pdf
G250N03IE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.57 грн
23+ 13.26 грн
100+ 8.32 грн
500+ 5.78 грн
1000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
G50N03D5 G50N03D5.pdf
G50N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G50N03D5 G50N03D5.pdf
G50N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.25 грн
10+ 41.74 грн
100+ 27.26 грн
500+ 19.71 грн
1000+ 17.82 грн
2000+ 16.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
G50N03J G50N03J.pdf
G50N03J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.25 грн
75+ 28.38 грн
150+ 25.2 грн
525+ 19.38 грн
1050+ 17.52 грн
2025+ 16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
G50N03J G50N03J.pdf
G50N03J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.03 грн
10+ 37.91 грн
100+ 24.61 грн
500+ 17.73 грн
1000+ 16 грн
Мінімальне замовлення: 5
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.9 грн
15000+ 9.69 грн
30000+ 8.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD050N03L G Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN-3362524.pdf
IPD050N03L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.6 грн
10+ 69.24 грн
100+ 46.83 грн
500+ 39.71 грн
1000+ 32.37 грн
2500+ 30.36 грн
5000+ 28.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+60.52 грн
9+ 42.71 грн
25+ 37.69 грн
27+ 32.74 грн
74+ 31.02 грн
500+ 30.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.62 грн
6+ 53.22 грн
25+ 45.23 грн
27+ 39.29 грн
74+ 37.23 грн
500+ 36.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 13430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.7 грн
10+ 49.98 грн
100+ 33.47 грн
500+ 26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD050N03LGATMA1 Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN-3362524.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.59 грн
10+ 49.96 грн
100+ 32.51 грн
500+ 28.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N03S2-07 Infineon_IPD50N03S2_07_DS_v01_00_en-3360291.pdf
IPD50N03S2-07
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.72 грн
10+ 103.4 грн
100+ 69.56 грн
250+ 66.25 грн
500+ 55.46 грн
1000+ 51 грн
2500+ 47.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S2-07_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270d5a3b72
IPD50N03S207ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.63 грн
10+ 101.01 грн
100+ 68.98 грн
500+ 51.84 грн
1000+ 47.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD50N03S2L-06 Infineon_IPD50N03S2L_06_DS_v01_00_en-1227022.pdf
IPD50N03S2L-06
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.48 грн
10+ 74.53 грн
100+ 51.14 грн
250+ 51.07 грн
500+ 48.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon-IPD50N03S2L_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270cfc3b6e&ack=t
IPD50N03S2L06ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.74 грн
10+ 102.73 грн
100+ 70.19 грн
500+ 52.78 грн
1000+ 48.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD50N03S4L-06 Infineon_IPD50N03S4L_06_DS_v01_01_en-3360018.pdf
IPD50N03S4L-06
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.92 грн
10+ 60.8 грн
100+ 43.3 грн
500+ 36.25 грн
1000+ 31.72 грн
2500+ 29.56 грн
5000+ 28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N03S4L06ATMA1 INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N03S4L06ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.16 грн
10+ 70.43 грн
100+ 47.15 грн
500+ 34.84 грн
1000+ 31.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N03S4L06ATMA1 INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N03S4L06ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.62 грн
5000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon_IPP050N03LF2S_DataSheet_v02_00_EN-3476269.pdf
IPP050N03LF2SAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.89 грн
10+ 59.64 грн
100+ 35.39 грн
500+ 29.56 грн
1000+ 25.18 грн
2500+ 22.8 грн
5000+ 21.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPS050N03LG INFNS27908-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPS050N03LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
MCAC150N03A-TP
MCAC150N03A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30 150A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4498 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
MCAC150N03A-TP
MCAC150N03A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30 150A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4498 pF @ 15 V
на замовлення 6914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.82 грн
10+ 59.87 грн
100+ 39.74 грн
500+ 29.17 грн
1000+ 26.01 грн
2000+ 24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
MCAC50N03-TP MCAC50N03(DFN5060).pdf
MCAC50N03-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30 50A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 15 V
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.7 грн
10+ 40.76 грн
100+ 26.58 грн
500+ 19.2 грн
1000+ 16.26 грн
2000+ 15.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
MCG50N03-TP MCG50N03(DFN3333).pdf
MCG50N03-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DFN3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.14 грн
10+ 39.86 грн
100+ 25.94 грн
500+ 18.73 грн
1000+ 15.76 грн
2000+ 15.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]