Результат пошуку "20N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Код товару: 32885 		FAIR HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 6 шт
1+230 грн
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 29312 		Fairchild hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 22 шт
1+220 грн
10+ 199 грн
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Код товару: 28558 		Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 38 шт
очікується: 3 шт
1+195 грн
10+ 184 грн
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Код товару: 61820 		Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 39 шт
1+102 грн
10+ 91.4 грн
IKP20N60T IKP20N60T
Код товару: 84958 		ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 4 шт
1+140 грн
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Код товару: 25463 		Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
очікується: 20 шт
1+125 грн
10+ 114 грн
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Код товару: 32013 		Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 22 шт
1+240 грн
10+ 226 грн
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 Infineon 09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5 HARRIS 09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+148.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.12 грн
10+ 250.87 грн
25+ 205.48 грн
100+ 175.92 грн
250+ 166.07 грн
500+ 156.22 грн
1000+ 133 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.89 грн
10+ 242.85 грн
25+ 229.55 грн
100+ 186.71 грн
250+ 177.14 грн
500+ 158.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.08 грн
3+ 239.7 грн
5+ 208.18 грн
12+ 196.45 грн
250+ 189.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+350.49 грн
3+ 298.7 грн
5+ 249.81 грн
12+ 235.74 грн
250+ 226.94 грн
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKP20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b0927c97 Description: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+133.45 грн
Мінімальне замовлення: 160
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKQ120N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b6d77c9b Description: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1004.8 грн
10+ 889.37 грн
30+ 852.47 грн
120+ 704.87 грн
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1081.23 грн
10+ 957.34 грн
25+ 804.32 грн
50+ 779.69 грн
100+ 712.14 грн
240+ 588.29 грн
480+ 587.59 грн
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.04 грн
10+ 364.16 грн
25+ 298.37 грн
100+ 256.15 грн
240+ 241.37 грн
480+ 228 грн
1200+ 194.92 грн
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.2 грн
5+ 134.14 грн
8+ 115.82 грн
21+ 109.95 грн
500+ 105.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.03 грн
5+ 167.16 грн
8+ 138.98 грн
21+ 131.94 грн
500+ 126.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOTF20N60 AOTF20N60 Alpha & Omega Semiconductor 51136592388968456aot20n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+92.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
BIDW20N60T BIDW20N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.15 грн
10+ 211.21 грн
25+ 178.74 грн
100+ 149.18 грн
250+ 132.29 грн
600+ 114 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCA20N60 FCA20N60 onsemi / Fairchild FCA20N60_F109_D-2311741.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.3 грн
10+ 405.43 грн
25+ 251.22 грн
100+ 219.55 грн
900+ 204.07 грн
FCA20N60 FCA20N60 onsemi fca20n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.2 грн
30+ 347.47 грн
120+ 297.83 грн
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi fca20n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.2 грн
30+ 347.47 грн
120+ 297.83 грн
510+ 248.45 грн
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi / Fairchild FCA20N60_F109_D-2311741.pdf MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.2 грн
10+ 457.23 грн
25+ 306.81 грн
100+ 277.96 грн
450+ 248.4 грн
900+ 224.48 грн
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 ON Semiconductor fca20n60_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCA20N60F FCA20N60F onsemi / Fairchild FCA20N60F_D-2311914.pdf MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.54 грн
10+ 455.61 грн
25+ 317.37 грн
100+ 289.92 грн
250+ 275.85 грн
450+ 268.11 грн
900+ 232.22 грн
FCA20N60F FCA20N60F onsemi fca20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.19 грн
30+ 359.84 грн
120+ 308.43 грн
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi / Fairchild FCB20N60F_D-2312010.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 12185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.19 грн
10+ 356.07 грн
25+ 299.77 грн
100+ 249.81 грн
250+ 242.07 грн
500+ 228.7 грн
800+ 203.37 грн
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi fcb20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+241.48 грн
1600+ 199.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi fcb20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.63 грн
10+ 323.41 грн
100+ 261.61 грн
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi fcb20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.69 грн
10+ 312.56 грн
100+ 252.86 грн
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi fcb20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+233.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi / Fairchild FCB20N60_D-2311611.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 12504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.42 грн
10+ 343.93 грн
25+ 289.92 грн
100+ 242.07 грн
250+ 235.03 грн
500+ 227.29 грн
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi fcd620n60zf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.45 грн
10+ 106.21 грн
100+ 84.55 грн
500+ 67.14 грн
1000+ 56.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi fcd620n60zf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi / Fairchild FCD620N60ZF_D-2311794.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.71 грн
10+ 108.44 грн
100+ 77.41 грн
250+ 76 грн
500+ 66.08 грн
1000+ 58.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH20N60 FCH20N60 Fairchild Semiconductor FAIRS27745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+203.72 грн
Мінімальне замовлення: 105
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.86 грн
3+ 341.59 грн
4+ 238.23 грн
10+ 225.04 грн
FCP20N60 FCP20N60 onsemi fcp20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.99 грн
50+ 284.62 грн
100+ 243.95 грн
500+ 203.5 грн
1000+ 174.25 грн
2000+ 164.07 грн
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild FCP20N60_D-2311949.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.66 грн
10+ 288.09 грн
50+ 219.55 грн
100+ 199.85 грн
500+ 186.48 грн
1000+ 167.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+367.07 грн
3+ 306.4 грн
4+ 236.03 грн
10+ 222.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+440.49 грн
3+ 381.82 грн
4+ 283.24 грн
10+ 267.4 грн
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi fcp20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.75 грн
50+ 285.29 грн
100+ 244.53 грн
500+ 203.99 грн
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi / Fairchild FCP20N60_D-2311949.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.46 грн
10+ 332.6 грн
50+ 273.03 грн
100+ 233.63 грн
250+ 220.26 грн
500+ 207.59 грн
1000+ 178.04 грн
FCPF20N60 FCPF20N60 ON Semiconductor fcp20n60jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+188.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.23 грн
10+ 218.73 грн
100+ 176.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi / Fairchild FGB20N60S_F085_D-2313334.pdf IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 252-261 дні (днів)
2+290.63 грн
10+ 241.16 грн
100+ 169.59 грн
800+ 144.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+166.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
HGT1S20N60B3S HGT1S20N60B3S Harris Corporation HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 40A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+214.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
HGT1S20N60C3R HGT1S20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+137.71 грн
Мінімальне замовлення: 155
HGTG20N60A4 Fairchaild IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+258.54 грн
10+ 216.07 грн
100+ 194.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG20N60B3D ON-Semicoductor hgtg20n60b3d-d.pdf 40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode   HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+264.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTG20N60C3R HGTG20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+173.91 грн
Мінімальне замовлення: 123
HGTG20N60A4
Код товару: 32885		 HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 6 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+230 грн
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312		 hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 22 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+220 грн
10+ 199 грн
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558		 hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 38 шт
очікується: 3 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+195 грн
10+ 184 грн
HGTP20N60A4
Код товару: 61820		 description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 39 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+102 грн
10+ 91.4 грн
IKP20N60T
Код товару: 84958		 ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 4 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+140 грн
SPP20N60C3
Код товару: 25463		 INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+125 грн
10+ 114 грн
SPP20N60S5
Код товару: 32013		 description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 22 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+240 грн
10+ 226 грн
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: Infineon
09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5
Виробник: HARRIS
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5
Виробник: SIEMENS
2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+148.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB20N60CTATMA1 Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+302.12 грн
10+ 250.87 грн
25+ 205.48 грн
100+ 175.92 грн
250+ 166.07 грн
500+ 156.22 грн
1000+ 133 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.89 грн
10+ 242.85 грн
25+ 229.55 грн
100+ 186.71 грн
250+ 177.14 грн
500+ 158.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.08 грн
3+ 239.7 грн
5+ 208.18 грн
12+ 196.45 грн
250+ 189.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+350.49 грн
3+ 298.7 грн
5+ 249.81 грн
12+ 235.74 грн
250+ 226.94 грн
AIKP20N60CTAKSA1 Infineon-AIKP20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b0927c97
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+133.45 грн
Мінімальне замовлення: 160
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon-AIKQ120N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b6d77c9b
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1004.8 грн
10+ 889.37 грн
30+ 852.47 грн
120+ 704.87 грн
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1081.23 грн
10+ 957.34 грн
25+ 804.32 грн
50+ 779.69 грн
100+ 712.14 грн
240+ 588.29 грн
480+ 587.59 грн
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.04 грн
10+ 364.16 грн
25+ 298.37 грн
100+ 256.15 грн
240+ 241.37 грн
480+ 228 грн
1200+ 194.92 грн
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+164.2 грн
5+ 134.14 грн
8+ 115.82 грн
21+ 109.95 грн
500+ 105.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.03 грн
5+ 167.16 грн
8+ 138.98 грн
21+ 131.94 грн
500+ 126.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOTF20N60 51136592388968456aot20n60.pdf
AOTF20N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF20N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+92.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
BIDW20N60T Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf
BIDW20N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.15 грн
10+ 211.21 грн
25+ 178.74 грн
100+ 149.18 грн
250+ 132.29 грн
600+ 114 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCA20N60 FCA20N60_F109_D-2311741.pdf
FCA20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+489.3 грн
10+ 405.43 грн
25+ 251.22 грн
100+ 219.55 грн
900+ 204.07 грн
FCA20N60 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.2 грн
30+ 347.47 грн
120+ 297.83 грн
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.2 грн
30+ 347.47 грн
120+ 297.83 грн
510+ 248.45 грн
FCA20N60-F109 FCA20N60_F109_D-2311741.pdf
FCA20N60-F109
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+485.2 грн
10+ 457.23 грн
25+ 306.81 грн
100+ 277.96 грн
450+ 248.4 грн
900+ 224.48 грн
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCA20N60F FCA20N60F_D-2311914.pdf
FCA20N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+506.54 грн
10+ 455.61 грн
25+ 317.37 грн
100+ 289.92 грн
250+ 275.85 грн
450+ 268.11 грн
900+ 232.22 грн
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+471.19 грн
30+ 359.84 грн
120+ 308.43 грн
FCB20N60FTM FCB20N60F_D-2312010.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 12185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.19 грн
10+ 356.07 грн
25+ 299.77 грн
100+ 249.81 грн
250+ 242.07 грн
500+ 228.7 грн
800+ 203.37 грн
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+241.48 грн
1600+ 199.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.63 грн
10+ 323.41 грн
100+ 261.61 грн
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.69 грн
10+ 312.56 грн
100+ 252.86 грн
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+233.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB20N60TM FCB20N60_D-2311611.pdf
FCB20N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 12504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+415.42 грн
10+ 343.93 грн
25+ 289.92 грн
100+ 242.07 грн
250+ 235.03 грн
500+ 227.29 грн
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.45 грн
10+ 106.21 грн
100+ 84.55 грн
500+ 67.14 грн
1000+ 56.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD620N60ZF FCD620N60ZF_D-2311794.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.71 грн
10+ 108.44 грн
100+ 77.41 грн
250+ 76 грн
500+ 66.08 грн
1000+ 58.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH20N60 FAIRS27745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH20N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+203.72 грн
Мінімальне замовлення: 105
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+427.86 грн
3+ 341.59 грн
4+ 238.23 грн
10+ 225.04 грн
FCP20N60 fcp20n60-d.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+372.99 грн
50+ 284.62 грн
100+ 243.95 грн
500+ 203.5 грн
1000+ 174.25 грн
2000+ 164.07 грн
FCP20N60 FCP20N60_D-2311949.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+299.66 грн
10+ 288.09 грн
50+ 219.55 грн
100+ 199.85 грн
500+ 186.48 грн
1000+ 167.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+367.07 грн
3+ 306.4 грн
4+ 236.03 грн
10+ 222.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.49 грн
3+ 381.82 грн
4+ 283.24 грн
10+ 267.4 грн
FCPF20N60 fcp20n60-d.pdf
FCPF20N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+373.75 грн
50+ 285.29 грн
100+ 244.53 грн
500+ 203.99 грн
FCPF20N60 FCP20N60_D-2311949.pdf
FCPF20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+401.46 грн
10+ 332.6 грн
50+ 273.03 грн
100+ 233.63 грн
250+ 220.26 грн
500+ 207.59 грн
1000+ 178.04 грн
FCPF20N60 fcp20n60jp-d.pdf
FCPF20N60
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+188.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.23 грн
10+ 218.73 грн
100+ 176.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60S_F085_D-2313334.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 252-261 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+290.63 грн
10+ 241.16 грн
100+ 169.59 грн
800+ 144.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+166.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
HGT1S20N60B3S HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S20N60B3S
Виробник: Harris Corporation
Description: 40A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+214.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
HGT1S20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S20N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
155+137.71 грн
Мінімальне замовлення: 155
HGTG20N60A4
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.54 грн
10+ 216.07 грн
100+ 194.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG20N60B3D hgtg20n60b3d-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode   HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+264.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTG20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+173.91 грн
Мінімальне замовлення: 123
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]