![FCPF20N60 FCPF20N60](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2011/3/24/2/51/7/247/fsc_/manual/to-220f-3.jpg)
FCPF20N60 ON Semiconductor
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 187 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF20N60 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCPF20N60 за ціною від 176.32 грн до 436.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCPF20N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCPF20N60 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 Код товару: 60737 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |