Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (100339) > Сторінка 748 з 1673

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 167 334 501 668 743 744 745 746 747 748 749 750 751 752 753 835 1002 1169 1336 1503 1670 1673  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BU7266SFV-E2 BU7266SFV-E2 Rohm Semiconductor bu7265sg-e.pdf Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 8SSOP
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7294F-E2 BU7294F-E2 Rohm Semiconductor bu7291sg-e.pdf Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7294SF-E2 BU7294SF-E2 Rohm Semiconductor bu7291sg-e.pdf Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7294SFV-E2 BU7294SFV-E2 Rohm Semiconductor bu7291sg-e.pdf Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SSOP
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7444F-E2 BU7444F-E2 Rohm Semiconductor bu7441g-e.pdf Description: IC OPAMP GROUND SENSE 8SOIC
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7444SF-E2 BU7444SF-E2 Rohm Semiconductor bu7441g-e.pdf Description: IC OPAMP GROUND SENSE 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7464SF-E2 BU7464SF-E2 Rohm Semiconductor bu7461sg-e.pdf Description: IC OPAMP GROUND SENSE 14SOIC
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7487SF-E2 BU7487SF-E2 Rohm Semiconductor bu7485g-e.pdf Description: IC OPAMP GROUND SENSE 14SOIC
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BH29M0AWHFV-TR BH29M0AWHFV-TR Rohm Semiconductor bhxxm0a-e.pdf Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU11UA3WNVX-TL BU11UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU13UA3WNVX-TL BU13UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4SSON
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU18UA3WNVX-TL BU18UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4SSON
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU18UB3WG-TR BU18UB3WG-TR Rohm Semiconductor buxxub3wg-e.pdf Description: IC REG LDO 1.8V 0.36A 5SSOP
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU19UA3WNVX-TL BU19UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.9V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1AUA3WNVX-TL BU1AUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4SSON
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1BTD2WNVX-TL BU1BTD2WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxtd2wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.15V 0.2A 4SSON
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1BUA3WNVX-TL BU1BUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.15V 0.3A 4SSON
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1CUA3WNVX-TL BU1CUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.25V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU22UA3WNVX-TL BU22UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.2V 0.3A 4SSON
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU23UA3WNVX-TL BU23UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.3V 0.3A 4SSON
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU27UA3WNVX-TL BU27UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.7V 0.3A 4SSON
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU28UA3WNVX-TL BU28UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LIN 2.8V 300MA 4SSON
товар відсутній
BU29UA3WNVX-TL BU29UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 4SSON
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2ATD2WNVX-TL BU2ATD2WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxtd2wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.05V 0.2A 4SSON
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2AUA3WNVX-TL BU2AUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.05V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2HTD2WNVX-TL BU2HTD2WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxtd2wnvx-e.pdf Description: IC REG LIN 2.75V 200MA 4SSON
товар відсутній
BU2HUA3WNVX-TL BU2HUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.75V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2JTD2WNVX-TL BU2JTD2WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxtd2wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.85V 0.2A 4SSON
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2JUA3WNVX-TL BU2JUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.85V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2KUA3WNVX-TL BU2KUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.95V 0.3A 4SSOP
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU31UA3WNVX-TL BU31UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU32UA3WNVX-TL BU32UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU34TD2WNVX-TL BU34TD2WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxtd2wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 3.4V 0.2A 4SSON
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU34UA3WNVX-TL BU34UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 3.4V 0.3A 4SSON
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7421SG-TR BU7421SG-TR Rohm Semiconductor bu7421g-e.pdf Description: IC OPAMP GROUND SENSE 5SSOP
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BZ6A1206GMP-TR Rohm Semiconductor BZ6Axx06GMP.pdf Description: IC PWR SUPP MOD 1.2V BGA-MDP
товар відсутній
BZ6A1806GMP-TR Rohm Semiconductor BZ6Axx06GMP.pdf Description: IC PWR SUPP MOD 1.8V BGA-MDP
товар відсутній
BD15IC0MEFJ-ME2 BD15IC0MEFJ-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD15IC0MEFJ-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A 8HTSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.25 mA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.9V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Current - Supply (Max): 700 µA
товар відсутній
ML610Q793-N01HBZ03B ML610Q793-N01HBZ03B Rohm Semiconductor datasheet?p=ML610Q793&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
ML610Q793-SDK ML610Q793-SDK Rohm Semiconductor ML610Q793.pdf Description: ML610Q793 EVAL BRD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ML610Q793-N01HBZ03B ML610Q793-N01HBZ03B Rohm Semiconductor datasheet?p=ML610Q793&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
2SA1774EBTLP 2SA1774EBTLP Rohm Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
CDZT2RA8.2B CDZT2RA8.2B Rohm Semiconductor cdz8.2b.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMN2
товар відсутній
RDD022N50TL RDD022N50TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RDD022N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 25 V
товар відсутній
RDD022N60TL RDD022N60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RDD022N60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V
товар відсутній
UMF23NTR UMF23NTR Rohm Semiconductor EMF23,UMF23N.pdf Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
товар відсутній
UMF24NTR UMF24NTR Rohm Semiconductor EMF24,UMF24N.pdf Description: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
товар відсутній
UMG7NTR UMG7NTR Rohm Semiconductor Transistors - General Purpose.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товар відсутній
UMZ8NTR UMZ8NTR Rohm Semiconductor emz8.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz, 260MHz
Supplier Device Package: UMT6
товар відсутній
SCS215AGC SCS215AGC Rohm Semiconductor scs215ag-e.pdf Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS215AEC SCS215AEC Rohm Semiconductor scs215ae-e.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS220AEC SCS220AEC Rohm Semiconductor scs220ae-e.pdf Description: DIODE SILICON 650V 20A TO247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS230AE2C SCS230AE2C Rohm Semiconductor ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS206AMC SCS206AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS206AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS208AMC SCS208AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS208AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS212AMC SCS212AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS212AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+515.12 грн
10+ 335.54 грн
100+ 244.33 грн
SCS215AMC SCS215AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS215AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.21 грн
50+ 366.46 грн
SCS220AMC SCS220AMC Rohm Semiconductor scs220am-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220FM
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS212AJTLL SCS212AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS212AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS215AJTLL SCS215AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS215AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+265.83 грн
2000+ 239.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BU7266SFV-E2 bu7265sg-e.pdf
BU7266SFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 8SSOP
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7294F-E2 bu7291sg-e.pdf
BU7294F-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7294SF-E2 bu7291sg-e.pdf
BU7294SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7294SFV-E2 bu7291sg-e.pdf
BU7294SFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SSOP
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7444F-E2 bu7441g-e.pdf
BU7444F-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 8SOIC
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7444SF-E2 bu7441g-e.pdf
BU7444SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7464SF-E2 bu7461sg-e.pdf
BU7464SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 14SOIC
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7487SF-E2 bu7485g-e.pdf
BU7487SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 14SOIC
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BH29M0AWHFV-TR bhxxm0a-e.pdf
BH29M0AWHFV-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU11UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU11UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU13UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU13UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4SSON
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU18UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU18UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4SSON
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU18UB3WG-TR buxxub3wg-e.pdf
BU18UB3WG-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.8V 0.36A 5SSOP
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU19UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU19UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.9V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1AUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU1AUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4SSON
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1BTD2WNVX-TL buxxtd2wnvx-e.pdf
BU1BTD2WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.15V 0.2A 4SSON
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1BUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU1BUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.15V 0.3A 4SSON
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1CUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU1CUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.25V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU22UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU22UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.2V 0.3A 4SSON
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU23UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU23UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.3V 0.3A 4SSON
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU27UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU27UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.7V 0.3A 4SSON
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU28UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU28UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 2.8V 300MA 4SSON
товар відсутній
BU29UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU29UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 4SSON
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2ATD2WNVX-TL buxxtd2wnvx-e.pdf
BU2ATD2WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.05V 0.2A 4SSON
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2AUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU2AUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.05V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2HTD2WNVX-TL buxxtd2wnvx-e.pdf
BU2HTD2WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 2.75V 200MA 4SSON
товар відсутній
BU2HUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU2HUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.75V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2JTD2WNVX-TL buxxtd2wnvx-e.pdf
BU2JTD2WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.85V 0.2A 4SSON
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2JUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU2JUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.85V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU2KUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU2KUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.95V 0.3A 4SSOP
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU31UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU31UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU32UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU32UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU34TD2WNVX-TL buxxtd2wnvx-e.pdf
BU34TD2WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.4V 0.2A 4SSON
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU34UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU34UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.4V 0.3A 4SSON
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU7421SG-TR bu7421g-e.pdf
BU7421SG-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 5SSOP
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BZ6A1206GMP-TR BZ6Axx06GMP.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWR SUPP MOD 1.2V BGA-MDP
товар відсутній
BZ6A1806GMP-TR BZ6Axx06GMP.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWR SUPP MOD 1.8V BGA-MDP
товар відсутній
BD15IC0MEFJ-ME2 datasheet?p=BD15IC0MEFJ-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD15IC0MEFJ-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A 8HTSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.25 mA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.9V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Current - Supply (Max): 700 µA
товар відсутній
ML610Q793-N01HBZ03B datasheet?p=ML610Q793&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
ML610Q793-N01HBZ03B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
ML610Q793-SDK ML610Q793.pdf
ML610Q793-SDK
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ML610Q793 EVAL BRD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ML610Q793-N01HBZ03B datasheet?p=ML610Q793&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
ML610Q793-N01HBZ03B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
2SA1774EBTLP 2sa1576u3t106r-e.pdf
2SA1774EBTLP
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
CDZT2RA8.2B cdz8.2b.pdf
CDZT2RA8.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMN2
товар відсутній
RDD022N50TL datasheet?p=RDD022N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RDD022N50TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 25 V
товар відсутній
RDD022N60TL datasheet?p=RDD022N60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RDD022N60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V
товар відсутній
UMF23NTR EMF23,UMF23N.pdf
UMF23NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
товар відсутній
UMF24NTR EMF24,UMF24N.pdf
UMF24NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
товар відсутній
UMG7NTR Transistors - General Purpose.pdf
UMG7NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товар відсутній
UMZ8NTR emz8.pdf
UMZ8NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz, 260MHz
Supplier Device Package: UMT6
товар відсутній
SCS215AGC scs215ag-e.pdf
SCS215AGC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS215AEC scs215ae-e.pdf
SCS215AEC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS220AEC scs220ae-e.pdf
SCS220AEC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SILICON 650V 20A TO247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS230AE2C ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L
SCS230AE2C
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS206AMC datasheet?p=SCS206AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS206AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS208AMC datasheet?p=SCS208AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS208AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS212AMC datasheet?p=SCS212AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS212AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+515.12 грн
10+ 335.54 грн
100+ 244.33 грн
SCS215AMC datasheet?p=SCS215AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS215AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+476.21 грн
50+ 366.46 грн
SCS220AMC scs220am-e.pdf
SCS220AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220FM
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS212AJTLL datasheet?p=SCS212AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS212AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS215AJTLL datasheet?p=SCS215AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS215AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+265.83 грн
2000+ 239.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 167 334 501 668 743 744 745 746 747 748 749 750 751 752 753 835 1002 1169 1336 1503 1670 1673  [ Наступна Сторінка >> ]