![ZXTP56060FDBQ-7 ZXTP56060FDBQ-7](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/574/31;U-DFN2020-6SWPTypeA;;6.jpg)
ZXTP56060FDBQ-7 Diodes Incorporated
![ZXTP56060FDBQ.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.14 грн |
6000+ | 10.18 грн |
9000+ | 9.45 грн |
30000+ | 8.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP56060FDBQ-7 Diodes Incorporated
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 510mW, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V, Supplier Device Package: U-DFN2020-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ZXTP56060FDBQ-7 за ціною від 9.84 грн до 35.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXTP56060FDBQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 35700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTP56060FDBQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
ZXTP56060FDBQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |