ZXTP5401ZTA Diodes Zetex
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 7.66 грн |
| 5000+ | 7.59 грн |
| 10000+ | 7.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP5401ZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ZXTP5401ZTA за ціною від 7.68 грн до 40.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTP5401ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTP5401ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTP5401ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTP5401ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTP5401ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTP5401ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTP5401ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTP5401ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 150V 0.6A |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTP5401ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTP5401ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTP5401ZTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
ZXTP5401ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |