ZXTP25012EFHTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 12V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 310MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.29 грн |
| 6000+ | 14.44 грн |
| 9000+ | 13.8 грн |
| 15000+ | 12.28 грн |
| 21000+ | 11.89 грн |
| 30000+ | 11.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP25012EFHTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.81W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 310MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXTP25012EFHTA за ціною від 13.03 грн до 66.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTP25012EFHTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.81W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 310MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP25012EFHTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN |
на замовлення 5317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP25012EFHTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.81W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 310MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP25012EFHTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 310MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 71718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXTP25012EFHTA |
|
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
ZXTP25012EFHTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 12V 4A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |