Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTN25100DGTA
ZXTN25100DGTA

ZXTN25100DGTA Diodes Incorporated

ZXTN25100DG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 73000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+17.19 грн
2000+ 14.74 грн
5000+ 13.96 грн
10000+ 12.13 грн
25000+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN25100DGTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції ZXTN25100DGTA за ціною від 12.79 грн до 46.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Виробник : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.13 грн
2000+ 16.27 грн
5000+ 15.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Виробник : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+19.53 грн
2000+ 17.53 грн
5000+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.23 грн
500+ 19.33 грн
1000+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Виробник : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+37.69 грн
17+ 36.12 грн
25+ 33.3 грн
100+ 26.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 73232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.3 грн
10+ 33.61 грн
100+ 23.27 грн
500+ 18.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN
на замовлення 20998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.72 грн
10+ 35.56 грн
100+ 21.02 грн
500+ 16.87 грн
1000+ 14.76 грн
2000+ 13.28 грн
5000+ 12.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+46.36 грн
21+ 38.71 грн
100+ 22.23 грн
500+ 19.33 грн
1000+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Виробник : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Виробник : Diodes Inc 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній