ZXTN2011GTA Diodes Inc
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 21.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN2011GTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ZXTN2011GTA за ціною від 22.04 грн до 77.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN2011GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 9617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power |
на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXTN2011GTA |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Case: SOT223 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Case: SOT223 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz |
товар відсутній |