![ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/7/31/9/44/24/25/dds_/manual/sot223.jpg)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 12.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A13GTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMP6A13GTA за ціною від 13.21 грн до 57.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A Pulsed drain current: -7.8A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.595Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A Pulsed drain current: -7.8A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.595Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 12183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V |
товар відсутній |