![ZXMP6A13FQTA ZXMP6A13FQTA](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/3/2/23/41/41/835/dds_/manual/dmp3099l-7.jpg)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A13FQTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 900 mA, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.
Інші пропозиції ZXMP6A13FQTA за ціною від 13.12 грн до 51.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13FQTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
на замовлення 7345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 114844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V |
на замовлення 12460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13FQTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
на замовлення 7345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
ZXMP6A13FQTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |