ZXMP3A16GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 28.09 грн |
| 2000+ | 25.46 грн |
| 5000+ | 24.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP3A16GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMP3A16GTA за ціною від 26.19 грн до 82.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP3A16GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP3A16GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP3A16GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V |
на замовлення 8811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP3A16GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.9A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.07Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP3A16GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP3A16GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP3A16GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V P Chnl UMOS |
на замовлення 19081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP3A16GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.9A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.07Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP3A16GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP3A16GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
ZXMP3A16GTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |