![ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/3/2/23/41/41/835/dds_/manual/dmp3099l-7.jpg)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP3A13FTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMP3A13FTA за ціною від 6.76 грн до 31.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMP3A13FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 14455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 46367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMP3A13FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V |
на замовлення 28877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP3A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |