![ZXMP10A18KTC ZXMP10A18KTC](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/1/2/8/11/28/32/dds_/manual/dmph3010lk3q-13.jpg)
на замовлення 6138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 32.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A18KTC Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.3W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMP10A18KTC за ціною від 35.96 грн до 104.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
на замовлення 24120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 33663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
ZXMP10A18KTC Код товару: 164134 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.8A; Idm: -21.1A; 4.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -21.1A Power dissipation: 4.3W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.8A; Idm: -21.1A; 4.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -21.1A Power dissipation: 4.3W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |