на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A17E6TA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMP10A17E6TA за ціною від 16.01 грн до 83.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V |
на замовлення 381000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A17E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V |
на замовлення 386925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V P-Chanl UMOS |
на замовлення 95506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A17E6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.3A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.3A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
товар відсутній |