ZXMP10A17E6QTA Diodes Inc
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 22.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A17E6QTA Diodes Inc
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V.
Інші пропозиції ZXMP10A17E6QTA за ціною від 19.68 грн до 64.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXMP10A17E6QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMP10A17E6QTA | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS61V-100V |
на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMP10A17E6QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V |
на замовлення 14695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMP10A17E6QTA | Виробник : DIODES INCORPORATED | ZXMP10A17E6QTA SMD N channel transistors |
товар відсутній |