на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A16KTC Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 50 V.
Інші пропозиції ZXMP10A16KTC за ціною від 22.67 грн до 67.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP10A16KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 50 V |
на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A16KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A16KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A16KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 50 V |
на замовлення 382825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A16KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Chan 100V MOSFET (UMOS) |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A16KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
ZXMP10A16KTC | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
ZXMP10A16KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.7A; 4.24W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.7A Power dissipation: 4.24W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A16KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.7A; 4.24W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.7A Power dissipation: 4.24W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |