ZXMN6A25KTC Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.49 грн |
| 5000+ | 27.96 грн |
| 12500+ | 26.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A25KTC Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V.
Інші пропозиції ZXMN6A25KTC за ціною від 29.27 грн до 77.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMN6A25KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V |
на замовлення 24654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A25KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) |
на замовлення 6246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A25KTC | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
ZXMN6A25KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 4.25W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Power dissipation: 4.25W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
ZXMN6A25KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 4.25W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Power dissipation: 4.25W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |