Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN6A25DN8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 277500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+51.7 грн
1000+ 40.56 грн
2500+ 38.18 грн
5000+ 34.13 грн
12500+ 32.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMN6A25DN8TA за ціною від 36.02 грн до 97.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A25DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A25DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 278251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.26 грн
10+ 75.5 грн
100+ 58.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A25DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A25DN8.pdf MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.95 грн
10+ 71.8 грн
100+ 51.02 грн
500+ 39.04 грн
1000+ 36.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A25DN8.pdf
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)