Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A09GQTA
ZXMN6A09GQTA

ZXMN6A09GQTA Diodes Incorporated

ZXMN6A09GQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A09GQTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V.

Інші пропозиції ZXMN6A09GQTA за ціною від 42.8 грн до 126.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN6A09GQTA ZXMN6A09GQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A09GQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 1K
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.2 грн
10+ 100.39 грн
100+ 63.09 грн
500+ 50.46 грн
1000+ 42.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
ZXMN6A09GQTA ZXMN6A09GQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A09GQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.67 грн
10+ 108.75 грн
100+ 84.81 грн
500+ 65.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
ZXMN6A09GQTA Виробник : Diodes Inc ZXMN6A09GQ.pdf MOSFET BVDSS: 41V60V SOT223 T&R 1K
товару немає в наявності