ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.18 грн |
| 2000+ | 23.31 грн |
| 5000+ | 22.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.9W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMN4A06GTA за ціною від 22.42 грн до 79.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN4A06GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN4A06GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN4A06GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V |
на замовлення 9942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN4A06GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.075Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN4A06GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 40V N-Chnl UMOS |
на замовлення 40933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN4A06GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN4A06GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.075Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXMN4A06GTA | Виробник : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 40V 7A ZXMN4A06GTA DIODES TZXMN4a06g кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
ZXMN4A06GTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZXMN4A06GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZXMN4A06GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |