Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3A04DN8TA
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN3A04DN8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+69.47 грн
1000+ 56.76 грн
2500+ 53.92 грн
5000+ 48.7 грн
12500+ 47.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.81W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMN3A04DN8TA за ціною від 50.46 грн до 130.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 22603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.37 грн
10+ 99.36 грн
100+ 79.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8.pdf MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.82 грн
10+ 107.73 грн
100+ 74.52 грн
250+ 70.62 грн
500+ 50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)