![ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FHTA](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/30c1663b44ec3f86d2174da4f88601890d242d7b/dmp3099l-7.jpg)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.39 грн |
6000+ | 6.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2F30FHTA Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V.
Інші пропозиції ZXMN2F30FHTA за ціною від 5.97 грн до 30.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMN2F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMN2F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMN2F30FHTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMN2F30FHTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 111217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMN2F30FHTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V |
на замовлення 184462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMN2F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | Виробник : DIODES/ZETEX |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
ZXMN2F30FHTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A On-state resistance: 65mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
ZXMN2F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
ZXMN2F30FHTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A On-state resistance: 65mΩ |
товар відсутній |