на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2A01FTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 806, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ZXMN2A01FTA за ціною від 6.66 грн до 41.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V |
на замовлення 972000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN2A01FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 806 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V |
на замовлення 974110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V N-Chnl UMOS |
на замовлення 40328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 806 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 806 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|