ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 37.15 грн |
2000+ | 33.68 грн |
5000+ | 32.07 грн |
10000+ | 28.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V.
Інші пропозиції ZXMN10A25GTA за ціною від 31.3 грн до 89.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V |
на замовлення 20480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET |
на замовлення 2776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |