Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC6A07N8TC
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated

ZXMHC6A07N8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.76 грн
5000+ 27.3 грн
12500+ 26.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 870mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції ZXMHC6A07N8TC за ціною від 27.04 грн до 72.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
на замовлення 84797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.79 грн
10+ 47.01 грн
100+ 33.92 грн
500+ 30.66 грн
1000+ 28.74 грн
2500+ 27.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 322500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.17 грн
10+ 56.63 грн
100+ 44.09 грн
500+ 35.07 грн
1000+ 28.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Inc 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності