![ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5741/31%7E8SO-3.9%7E%7E8.jpg)
ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated
![ZXMHC10A07N8.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 32.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 870mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції ZXMHC10A07N8TC за ціною від 31.28 грн до 124.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMHC10A07N8TC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 0.9/-0.7A Power dissipation: 0.87W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9/1.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMHC10A07N8TC | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 81521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMHC10A07N8TC | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 24229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMHC10A07N8TC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 0.9/-0.7A Power dissipation: 0.87W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9/1.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ZXMHC10A07N8TC | Виробник : Diodes INC. |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|