на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 279+ | 27.02 грн |
| 500+ | 26.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4210GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZVN4210GTA за ціною від 24.34 грн до 79.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVN4210GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 100V |
на замовлення 3211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVN4210GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZVN4210GTA |
|
на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
ZVN4210GTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |