ZVN4206GTC DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 43.39 грн |
| 500+ | 34.08 грн |
| 1000+ | 30.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4206GTC DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZVN4206GTC за ціною від 22.95 грн до 79.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4206GTC | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 60V |
на замовлення 3791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVN4206GTC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4206GTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN4206GTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
ZVN4206GTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZVN4206GTC | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZVN4206GTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |