ZVN0545GTA Diodes Incorporated
![ZVN0545G.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 25.34 грн |
2000+ | 21.73 грн |
5000+ | 20.58 грн |
10000+ | 18.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN0545GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVN0545GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 140 mA, 50 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 450V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZVN0545GTA за ціною від 19.68 грн до 71.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZVN0545GTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZVN0545GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V |
на замовлення 42042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZVN0545GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 9193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZVN0545GTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZVN0545GTA | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
ZVN0545GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.14A; Idm: 0.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
ZVN0545GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.14A; Idm: 0.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |