ZTX855

ZTX855 Diodes Incorporated


ZTX855.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 7780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.32 грн
10+ 64.15 грн
100+ 43.36 грн
500+ 36.83 грн
1000+ 29.95 грн
2000+ 28.74 грн
4000+ 26.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZTX855 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 150V 4A E-LINE, Packaging: Bulk, Package / Case: E-Line-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible), Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1.2 W.

Інші пропозиції ZTX855 за ціною від 24.58 грн до 89.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZTX855 ZTX855 Виробник : Diodes Incorporated ZTX855.pdf Description: TRANS NPN 150V 4A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.82 грн
10+ 58.11 грн
100+ 40.56 грн
500+ 30.67 грн
1000+ 28.25 грн
4000+ 24.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
ZTX855 ZTX855 Виробник : Diodes Zetex 2163ztx855.pdf Trans GP BJT NPN 150V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
ZTX855 ZTX855 Виробник : Diodes Inc 2163ztx855.pdf Trans GP BJT NPN 150V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
товару немає в наявності